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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利离子源装置及其控制方法、离子注入设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810528B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211588946.5，技术领域涉及：H01J37/08；该发明授权离子源装置及其控制方法、离子注入设备和存储介质是由苏文华;齐玉设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本离子源装置及其控制方法、离子注入设备和存储介质在说明书摘要公布了：本公开提供一种离子源装置及其控制方法、离子注入设备和存储介质，离子源装置包括腔室、放电件、气体引入件、电场产生件、电源、检测件以及控制单元，放电件用于在加载电信号之后产生电子，气体引入件用于向腔室内引入气体以与电子碰撞产生离子束，电场产生件用于在腔室内产生辅助电子偏转的电场，以使电子朝向气体源入口运动，电源用于向电场产生件提供正电压，检测件连接至离子束出口，用于电源在一第一电压值与一第二电压值之间变化时，采集离子束的实时表征参数，控制单元用于根据实时表征参数确定一最大表征参数值，并根据最大表征参数值调整电源的输出电压，以向电场产生件提供优选电压。本公开提高了气体利用率和离子化效率。

本发明授权离子源装置及其控制方法、离子注入设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种离子源装置，其特征在于，包括： 腔室10，所述腔室10上设置有气体源入口101和离子束出口102； 放电件20，设置在所述腔室10内，用于在加载电信号之后产生电子； 气体引入件30，用于通过所述气体源入口101向所述腔室10内引入气体，以与电子碰撞产生离子束； 电场产生件40，设置在所述腔室10上，用于在所述腔室10内产生辅助所述电子偏转的电场，以使所述电子朝向所述气体源入口101运动； 电源50，用于向所述电场产生件40提供正电压； 检测件60，连接至所述离子束出口102，用于所述电源50在一第一电压值与一第二电压值之间变化时，采集所述离子束的实时表征参数；以及 控制单元70，与所述电源50和所述检测件60分别连接，用于根据所述实时表征参数确定一最大表征参数值，并根据所述最大表征参数值调整所述电源50的输出电压，以向所述电场产生件40提供优选电压； 所述腔室10包括相对设置的第一壁11和第二壁12，所述第一壁11与所述第二壁12之间通过第三壁13相连，所述气体源入口101设置在所述第一壁11上，所述离子束出口102设置在所述第二壁12上，所述放电件20穿过所述第三壁13伸入至所述腔室10内；所述电场产生件40设置在所述第一壁11上，所述电场产生件40与所述第一壁11之间设置有第一绝缘件80，所述电场产生件40与所述电源50的正极相连，所述第一壁11与所述电源50的负极相连；所述电场产生件40上设置有穿设孔，所述气体引入件30通过所述穿设孔伸入至所述腔室10内，且所述气体引入件30与所述电场产生件40之间设置有第二绝缘件90；所述电场产生件40是板状件，所述板状件的厚度与所述腔室10的腔壁厚度相等。

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