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龙图腾网获悉山东宝乘电子有限公司申请的专利基于芯片三维排列的窄脉冲大功率输出模块及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799246B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211588018.9，技术领域涉及：H01L25/18；该发明授权基于芯片三维排列的窄脉冲大功率输出模块及制造方法是由王永恒;保爱林;顾在意;王文波;李成;张翼飞;庄须叶设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于芯片三维排列的窄脉冲大功率输出模块及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于芯片三维排列的窄脉冲大功率输出模块及制造方法，模块内部设置可将多个功率IGBT芯片或功率MOSFET芯片并联安装于其上的并联单板，多个并联单板层叠串联连接形成模块的芯体结构，该模块通过功率IGBT芯片或功率MOSFET芯片的并联、串联来满足对通态电流和断态电压的要求；并联单板上的各芯片间的同极分别采用金属板互连，整个模块内部的芯片采用三维排列，通过合理的芯片排布及金属互连结构设计，显著提高了体功率密度，在实现模块微型化的基础上，能满足一些特定领域的窄脉冲大功率应用需求。

本发明授权基于芯片三维排列的窄脉冲大功率输出模块及制造方法在权利要求书中公布了：1.基于芯片三维排列的窄脉冲大功率输出模块，包括外壳、外露的接线端子以及外壳内部的芯体，其特征在于：所述芯体包括多个层叠互连的并联单板，所述并联单板包括第一金属板、第二金属板、门极互连板、IGBT芯片及续流二极管芯片，第一金属板将多个IGBT芯片的集电极及续流二极管芯片的阴极互连，第二金属板将多个IGBT芯片的发射极及续流二极管芯片的阳极互连，门极互连板将多个IGBT芯片的门极互连； 外露的接线端子包括模块的集电极端子C和发射极端子E、从每个并联单板的第二金属板上引出的发射极端子e和从每个并联单板的门极互连板上引出的门极端子g；多个并联单板层叠互连时，位于上一层的并联单板的第一金属板与相邻下一层的并联单板的第二金属板互连，发射极端子E从最上层的并联单板的第二金属板上引出，集电极端子C从最下层的并联单板的第一金属板上引出； 所述模块的集电极端子C和发射极端子E、每个并联单板的发射极端子e和门极端子g均排列于外壳的同一端面，集电极端子C和发射极端子E上下对齐且位于所在外壳端面的一端，所有的发射极端子e上下对齐且位于所在外壳端面的另一端，所有的门极端子g上下对齐且位于所在外壳端面的中间； 所述并联单板上的IGBT芯片沿第一金属板的长度方向对称排布成两列，沿第一金属板的宽度方向对称排布成m行，且其列间距大于行间距，每行中的两颗IGBT芯片的门极相对；每个并联单板的发射极端子e位于其中一列的一端，每个并联单板的门极端子g位于两列之间的一端；所述第二金属板为U型结构，U型结构包括两侧的延伸板及将两侧延伸板的一端连为一体的连接板，续流二极管芯片排布于IGBT芯片列的一端，延伸板与每个IGBT芯片的发射极钎焊互连，连接板与续流二极管的阳极钎焊互连，门极互连板位于两列IGBT芯片之间或两侧的延伸板之间；所述芯体最上层的并联单板的第二金属板的两侧延伸板等长，其中一侧延伸板引出模块的发射极端子E，另一侧延伸板引出并联单板的发射极端子e；芯体中其他并联单板的第二金属板的两侧延伸板不等长，较长一侧的延伸板引出并联单板的发射极端子e。

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