赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司肖文贺获国家专利权
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龙图腾网获悉赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116240506B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211604469.7，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法及相关设备是由肖文贺;杨云春;陆原;李立伟设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法及相关设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法及相关设备，该方法包括：控制磁控溅射设备输出目标溅射功率，以使等离子体轰击金属靶材，在衬底光刻胶上沉积金属薄膜；在所述衬底光刻胶上沉积所述金属薄膜的过程中，对衬底光刻胶进行冷却降温，以控制所述衬底光刻胶保持在目标温度范围内。通过控制目标溅射功率，可以控制金属原子的溅射温度，控制光刻胶的升温速度，并对光刻胶进行冷却降温，控制光刻胶保持在目标温度范围内，可以避免光刻胶发生软化，导致金属原子在沉积过程中产生气泡缺陷，进而可以产品的质量和制备方法的实用性。
本发明授权一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种基于光刻胶的金属薄膜沉积方法，其特征在于，包括： 控制磁控溅射设备输出目标溅射功率，以使等离子体轰击金属靶材，在衬底光刻胶上沉积金属薄膜； 在所述衬底光刻胶上沉积所述金属薄膜的过程中，对衬底光刻胶进行冷却降温，以控制所述衬底光刻胶保持在目标温度范围内，所述目标温度范围为目标金属靶材原子沉积在所述衬底光刻胶表面不会发生气泡缺陷对应的温度范围； 所述对衬底光刻胶进行冷却降温包括：通过冷却装置对所述衬底光刻胶远离金属薄膜沉积的一面进行冷却降温，以周期性地进行金属薄膜的沉积，其中，所述冷却装置在整个沉积周期中保持运行状态； 所述目标温度范围的获取步骤包括： 获取目标金属靶材原子的溅射温度或对应的金属薄膜沉积温度； 获取衬底光刻胶的软化温度范围； 根据所述衬底光刻胶的软化温度范围，确定所述衬底光刻胶的目标温度范围，所述衬底光刻胶的软化温度范围为根据衬底光刻胶发生软化到彻底软化所对应的温度确定的。
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