中国科学院微电子研究所杨光华获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利减小位置测量误差的光栅结构优化方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116088168B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211670901.2,技术领域涉及:G02B27/00;该发明授权减小位置测量误差的光栅结构优化方法是由杨光华;李璟;张清洋;钟丽娜设计研发完成,并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本减小位置测量误差的光栅结构优化方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种减小位置测量误差的光栅结构优化方法,包括:根据不同衍射级次信号的强度,建立相位光栅结构的评价方法以描述结构的优劣;而后根据该评价方法选出一种或多种结果较好的光栅结构作为初始的光栅结构;再根据制造过程中可能引入的变形生成对应的变形后的光栅结构;而后比较上述初始的光栅结构和变形后的光栅结构给出多组用于对比的光栅排布组合,并对其进行制板,加工出实验用的标记测量板;接着由对比测量结果建立起光栅结构变形与所引入的位置误差的对应关系;最后根据该对应关系优化初始的光栅结构,得到优化后的光栅结构。该优化后的光栅结构能够抵消或缓解制造工艺过程中引入的变形对位置测量精度的影响,减小位置测量误差。
本发明授权减小位置测量误差的光栅结构优化方法在权利要求书中公布了:1.一种减小位置测量误差的光栅结构优化方法,其特征在于,包括: 步骤S1,根据不同衍射级次信号的强度,建立相位光栅结构的评价函数; 步骤S2,根据所述评价函数,选取初始的光栅结构; 步骤S3,将所述初始的光栅结构代入制造工艺所引起的变形模型,生成变形后的光栅结构; 步骤S4,比较所述初始的光栅结构和所述变形后的光栅结构,给出多组用于对比的光栅排布组合; 步骤S5,根据预设的制板工艺对多组所述光栅排布组合进行制板,加工出实验用的标记测量板; 步骤S6,对所述标记测量板上的各组所述光栅排布组合进行测量,对测量结果进行分析,建立起光栅结构变形与所引入的位置误差之间的对应关系; 步骤S7,根据预设的误差控制需求,结合所述对应关系,对所述初始的光栅结构进行优化设计,得到优化后的光栅结构。
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