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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种CMOS-MEMS单片集成流量、压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116337143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310106202.3，技术领域涉及：G01D21/02；该发明授权一种CMOS-MEMS单片集成流量、压力传感器是由王晓毅;杨盖;刘钟一;谢会开设计研发完成，并于2023-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS-MEMS单片集成流量、压力传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种CMOS‑MEMS单片集成流量、压力传感器，属于传感器领域。本发明的传感器包括硅衬底层及二氧化硅结构层，所述二氧化硅结构层包括设置于两端的PAD区域和设置于中央的气体流量传感器区域及气体压力传感器区域；所述PAD区域中二氧化硅材料与金属材料交叠排布，金属via贯穿第一层金属至第五层金属；所述气体流量传感器区域包括加热电阻及分布在加热电阻两侧的第一热敏电阻和第二热敏电阻；本发明采用无需掩模版MASK操作的Post‑CMOS工艺，有效降低了整个器件的后处理复杂程度，大大提高了整个Post‑CMOS后处理的效率。传感部分需要悬空处理，使其具有低热量耗散，快响应速度的特性。

本发明授权一种CMOS-MEMS单片集成流量、压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种CMOS-MEMS单片集成流量、压力传感器，其特征在于：包括硅衬底层1及二氧化硅结构层2，所述二氧化硅结构层2设置于所述硅衬底层1上方；所述二氧化硅结构层2包括设置于两端的PAD区域和设置于中央的气体流量传感器区域及气体压力传感器区域；所述PAD区域中二氧化硅材料与金属材料交叠排布，金属via贯穿第一层金属至第五层金属；所述气体流量传感器区域包括加热电阻4及分布在加热电阻4两侧的第一热敏电阻3和第二热敏电阻5，加热电阻4和第一热敏电阻3及第二热敏电阻5置于二氧化硅材料中，整体被ParyleneC10包覆，两侧固定，整体悬浮在空腔6上方；所述气体压力传感器区域包括上电容极板7和下电容极板8以及上电容极板7和下电容极板8之间的腔体，上电容极板7和下电容极板8置于二氧化硅材料中，并由ParyleneC10覆盖表面，腔体与刻蚀流道11之间的通道经ParyleneC10覆盖填充后形成密封腔体9，同时腔体内壁覆盖一层ParyleneC材料。

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