中国科学技术大学刘宇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种用于模拟电离层环境的磁滤等离子体源设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116170930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310133754.3，技术领域涉及：H05H1/24；该发明授权一种用于模拟电离层环境的磁滤等离子体源设备是由刘宇;李敏迟;雷久侯;余鹏程设计研发完成，并于2023-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于模拟电离层环境的磁滤等离子体源设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于模拟电离层环境的磁滤等离子体源设备，所述设备包括真空室，以及设置于所述真空室内的灯丝支撑电极、磁场阵列和金属挡板；所述灯丝支撑电极用于安装热灯丝；所述金属挡板设置于真空室内靠近真空室出口的中部位置；所述磁场阵列包括多组，其中一组安装在所述金属挡板上，用于构成一个磁滤位形，其余组构成了一个多极磁场位形。通过该设备能够实现低至105cm‑3且厚度达20cm的均匀分布等离子体，并且等离子体电子、离子能量都非常接近真实电离层环境，对实现空间电离层载荷地面标定和电离层物理地面模拟研究具有重要意义。
本发明授权一种用于模拟电离层环境的磁滤等离子体源设备在权利要求书中公布了：1.一种用于模拟电离层环境的磁滤等离子体源设备，其特征在于： 所述设备包括真空室，以及设置于所述真空室内的灯丝支撑电极、磁场阵列和金属挡板； 所述灯丝支撑电极用于安装热灯丝； 所述金属挡板设置于真空室内靠近真空室出口的中部位置； 所述磁场阵列包括多组，其中一组安装在所述金属挡板上，用于构成一个磁滤位形，其余组构成了一个多极磁场位形； 所述其余组磁场阵列包括3组且分别构成为磁环结构，其中，第1组安装在所述真空室的前端面法兰上；第2组安装在所述设备轴向中心面且位于真空室内壁上；第3组安装在靠近真空室出口处，且其半径与第二组一致。
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