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龙图腾网获悉北京大学申请的专利基于脉冲宽度调制铁电场效应晶体管实现模拟和多值内容可寻址存储器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310129169.6，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权基于脉冲宽度调制铁电场效应晶体管实现模拟和多值内容可寻址存储器的方法是由黄如;徐伟凯;黄芊芊设计研发完成，并于2023-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于脉冲宽度调制铁电场效应晶体管实现模拟和多值内容可寻址存储器的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于脉冲宽度调制铁电场效应晶体管实现模拟和多值内容可寻址存储器的方法，属于新型存储与计算技术领域。本发明利用脉冲宽度的互补信息实现了基于脉冲宽度调制FeFET的ACAM和MCAM，相较于传统ACAM和MCAM的实现方式，不需要额外的晶体管以及复杂的模拟外围电路，仅需要共用的几个逻辑门即可实现，具有更加简洁的实现方式与更低的硬件开销，并且搜索过程中仅需要一个电压幅值VDD，更易与数字系统兼容。此外基于脉冲宽度的搜索query与存储entry的编码方式，使其存储范围不受FeFET的存储窗口限制，可以获得更多bit数量的MCAM，以进一步提高CAM的存储密度和搜索能效，具有广阔的应用前景。

本发明授权基于脉冲宽度调制铁电场效应晶体管实现模拟和多值内容可寻址存储器的方法在权利要求书中公布了：1.一种实现模拟内容可寻址存储器ACAM的方法，其特征在于，包括由CAM单元构成的CAM阵列，每个CAM单元由两个N型FeFET组成，所述FeFET的漏极连接两条匹配线ML和MLb，所述FeFET的栅极连接两条搜索线SL和SLb，所述FeFET的源极接地，在CAM阵列中，一行CAM单元共享两条匹配线ML和MLb，ML和MLb作为行共用的与门的两个输入，与门的输出为该行的匹配结果Vout；一列CAM单元共享两条搜索线SL和SLb，每一列的搜索信号SL和参考信号Ref作为列共用的异或门的两个输入，异或门的输出为SLb；预充电路用于给每一行的两条匹配线充电；在编程ACAM存储entry的阶段，分别对CAM单元的两个FeFET的栅极施加一定的编程电压，将其编程为一定的阈值电压VTH1和VTH2，当在两个FeFET的栅极施加电压VDD，通过预充电路预充到VDD的ML1和ML2表现出与FeFET阈值电压相关的放电速度，其放电到VDD2的时间分别为t1和t2，在搜索阶段，先通过预充电路将ML1和ML2预充到VDD，SL端施加具有一定脉冲宽度TSL且幅值为VDD的搜索电压VSL，TSL的大小与搜索query的大小相对应，参考信号Ref的宽度为TRef，则SLb端的信号为脉冲宽度为TRef-TSL且幅值为VDD的搜索电压VSLb，当VSL的脉冲宽度TSL小于其作用的FeFET的放电时间t1，并且VSLb的脉冲宽度TRef-TSL小于其作用的FeFET的放电时间t2，在搜索的过程中，ML1和ML2的电压不会放电到VDD2之下，与门的输出结果Vout保持高电平，表示匹配，得到匹配范围是TSL位于TRef-t2到t1之间；如果VSL的脉冲宽度大，TSL大于t1，使得VSL作用的FeFET的ML1在搜索阶段降到VDD2之下，或如果VSL的脉冲宽度小，TSL小于TRef-t2，VSLb作用的FeFET的ML2在搜索阶段降到VDD2之下，则输出结果Vout在搜索阶段变为低电平，表示不匹配，实现ACAM匹配操作。

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