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松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所冯博文获国家专利权

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龙图腾网获悉松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所申请的专利一种异质结太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116314370B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310167068.8,技术领域涉及:H10F77/20;该发明授权一种异质结太阳电池及其制备方法是由冯博文;杜小龙;陈兴谦;李昊臻;刘尧平设计研发完成,并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

一种异质结太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请实施例提供一种异质结太阳电池及其制备方法,涉及新能源领域。金属种子层的制备方法包括以下步骤:取电池片,其中电池片的至少一表面设置有透明导电层,透明导电层中含有金属氧化物;金属氧化物为氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化锑、氧化镉中的任一种;使用电化学法在透明导电层的部分区域制备金属形核层;在金属形核层的表面电镀金属薄层,相同材质的金属薄层与金属形核层结合形成金属种子层;再以金属种子层为基础,形成金属栅线。本申请实施例的异质结太阳电池中,金属栅线和电池片之间的附着力强,有利于增大异质结太阳电池的使用寿命和转化效率,而且本申请实施例的制备方法也较为简单。

本发明授权一种异质结太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种异质结太阳电池的制备方法,其特征在于,其包括以下步骤: 取电池片,其中所述电池片的至少一表面设置有透明导电层,所述透明导电层中含有金属氧化物;所述金属氧化物为氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化锑、氧化镉中的任一种; 使用电化学法在所述透明导电层的部分区域还原出所述金属氧化物中的金属颗粒从而形成金属形核层; 在所述金属形核层的表面电镀金属薄层,所述金属薄层与所述金属形核层结合形成金属种子层,且所述金属薄层的材质和所述金属形核层的材质相同; 在所述金属种子层的表面依次电镀金属阻挡层、金属传导层,所述金属种子层、所述金属阻挡层、所述金属传导层形成金属栅线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所,其通讯地址为:523808 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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