华中科技大学曹磊获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种单开口谐振环超材料太赫兹生化传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116500001B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310435131.1，技术领域涉及：G01N21/59；该发明授权一种单开口谐振环超材料太赫兹生化传感器是由曹磊设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单开口谐振环超材料太赫兹生化传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单开口谐振环超材料太赫兹生化传感器，属于太赫兹传感器技术领域，该传感器包括介质基底以及所述介质基底上周期排列的金属单开口谐振环；所述金属单开口谐振环的开口包括一个或多个金属交叉指形结构；所述金属单开口谐振环为方形环时，开口位于方形环与电磁波的电场方向平行的臂；所述金属单开口谐振环为圆形环时，开口的切向方向与电磁波的电场方向平行。本发明通过在单开口谐振环结构的开口处引入金属交叉指形结构，使本发明的传感器具有高的品质因数Q、灵敏度S以及灵敏值FOM，特别适合生化分析物痕量检测。
本发明授权一种单开口谐振环超材料太赫兹生化传感器在权利要求书中公布了：1.一种单开口谐振环超材料太赫兹生化传感器，其特征在于，包括介质基底以及设置于所述介质基底上的谐振环阵列； 所述谐振环阵列包括周期排列的多个单开口谐振环，且所有单开口谐振环的开口处设有金属交叉指形结构； 所述单开口谐振环为方形环结构或圆形环结构； 当单开口谐振环为单开口SRR方形环结构时，开口和交叉指形结构设置于上臂或下臂； 当单开口谐振环为单开口eSRR方形环结构时，开口和交叉指形结构设置于中臂； 当单开口谐振环为单开口SRR圆形环结构时，开口和交叉指形结构设置于上半圆或下半圆； 当单开口谐振环为单开口eSRR圆形环结构时，开口和交叉指形结构设置于中臂； 所述金属交叉指形结构的指长L=2～20微米，指宽W=0.1～1微米，指间间隙M=0.1～2微米。
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