武汉科技大学高标获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉科技大学申请的专利一种弥散强化的多孔硅负极材料、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117088373B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310900161.5，技术领域涉及：H01M4/134；该发明授权一种弥散强化的多孔硅负极材料、制备方法及其应用是由高标;郭鑫博;霍开富;项奔;徐一帆设计研发完成，并于2023-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种弥散强化的多孔硅负极材料、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种弥散强化的多孔硅负极材料的制备方法及其应用。本发明以硅颗粒、铜颗粒为原料，通过真空熔炼制备得到硅铜合金，经过砂磨破碎，得到硅铜合金粉末。利用镁粉与硅铜合金粉末，制备得到Mg2Cu与Mg2Si前驱体。利用镁、硅、铜反应活性区别，采用含氨气气氛将镁转化为氮化镁并充当造孔剂。通过酸刻蚀氮化镁后，形成独特的Cu3Si弥散分布的多孔硅骨架的结构。Cu3Si能有效解决硅基体电导率不足的问题，同时细小的Cu3Si颗粒钉扎在硅骨架中，提高了材料的机械强度，缓解过度膨胀导致的结构粉化的问题，使材料具有良好的快充性能，为制备高导电性硅负极提供了参考。
本发明授权一种弥散强化的多孔硅负极材料、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种Cu3Si弥散分布的多孔硅负极材料的制备方法，包括如下步骤： S1：将一定质量的硅颗粒与铜颗粒置于真空熔炼炉中，得到硅铜合金前驱体； S2：将步骤S1得到的硅铜合金前驱体进行砂磨、离心，得到粒径相似的硅铜合金粉末； S3：将步骤S2得到的硅铜合金粉末与一定比例的镁粉混合后进行热处理，得到Mg2Cu与Mg2Si粉末； S4：将步骤S3得到的产物在氮气气氛中进行氮化反应，得到Mg3N2、Si与Cu3Si； S5：将步骤S4得到的产物放入酸中刻蚀，得到Cu3Si弥散分布的多孔硅负极材料。
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