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龙图腾网获悉上海裕芯电子科技有限公司申请的专利一种利于超低输入电压DCDC升压装置的比较器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117318680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311329409.3，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权一种利于超低输入电压DCDC升压装置的比较器电路是由张美洁;李博;赵天临设计研发完成，并于2023-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利于超低输入电压DCDC升压装置的比较器电路在说明书摘要公布了：一种利于超低输入电压DCDC升压装置的比较器电路，包括基准参考比较模块、升压系统开关驱动控制模块、P型晶体管Q1和N型晶体管Q2；所述基准参考比较模块包括PFM比较器单元PFMCMP、带隙基准单元BANDGAP和偏置电流单元IBIAS；PFM比较器模块PFM比较器单元PFMCMP包括N型晶体管MN0、N型晶体管MN1、N型晶体管MN2、N型晶体管MN3、N型晶体管MN4、N型晶体管MN5、P型晶体管MP0、P型晶体管MP1、P型晶体管MP2和逻辑施密特触发器SMIT。因此，本发明用于在较低输入电压时，产生比较器基准电压的代替信号VREF0与输出电压的分压VFB进行比较，正常输出PFM高电平信号，即可以解决升压系统在超低输入电压下对启动电压的限制，并且确保升压系统可以正常工作。

本发明授权一种利于超低输入电压DCDC升压装置的比较器电路在权利要求书中公布了：1.一种利于超低输入电压DCDC升压装置的比较器电路，其特征在于，包括基准参考比较模块、升压系统开关驱动控制模块、P型晶体管Q1和N型晶体管Q2；所述基准参考比较模块包括PFM比较器单元PFMCMP、带隙基准单元BANDGAP和偏置电流单元IBIAS；所述升压系统开关驱动控制模块包括过零检测比较器单元ZCDCMP、过零检测逻辑控制单元ZCDCTRL、限流检测比较器单元OCLCMP、开关驱动逻辑控制单元DRIVER、限流检测逻辑控制单元OCLCTRL和振荡器单元OSC；其中，所述偏置电流单元IBIAS为PFM比较器单元PFMCMP、过零检测比较器单元ZCDCMP和限流检测比较器单元OCLCMP提供偏置电流IB；所述带隙基准单元BANDGAP为PFM比较器单元PFMCMP和限流检测比较器单元OCLCMP提供参考电压；所述PFM比较器单元PFMCMP比较参考电压VREF与输出端VOUT的电压的分压VFB，输出使能控制信号PFM；所述振荡器单元OSC输出固定周期的时钟信号供给后级的所述开关驱动逻辑控制单元DRIVER；所述过零检测比较器单元ZCDCMP比较SW信号与所述输出端VOUT的电压大小，输出ZCD信号；所述过零检测逻辑控制单元ZCDCTRL接收所述ZCD信号，输出PZCD信号；所述限流检测比较器单元OCLCMP比较VS信号与所述输出端VB的电压大小，输出OCL信号；所述限流检测逻辑控制单元OCLCTRL接收所述OCL信号，输出NOCL信号；所述开关驱动逻辑控制单元DRIVER接收时钟信号、PZCD信号和NOCL信号去控制所述P型晶体管Q1和N型晶体管Q2的栅极； 所述PFM比较器模块PFM比较器单元PFMCMP包括N型晶体管MN0、N型晶体管MN1、N型晶体管MN2、N型晶体管MN3、N型晶体管MN4、N型晶体管MN5、P型晶体管MP0、P型晶体管MP1、P型晶体管MP2和逻辑施密特触发器SMIT； 其中，所述逻辑施密特触发器SMIT连接在输出端VOUT和接地端GND之间，其输出端为PFM，输入端与P型晶体管MP2和N型晶体管MN4的漏极相连；所述P型晶体管MP2的栅极、所述P型晶体管MP1和N型晶体管MN1的漏极相连，所述P型晶体管MP0的源极、所述P型晶体管MP1的源极和所述P型晶体管MP2的源极接输出端VOUT；所述N型晶体管MN4的栅极、N型晶体管MN2的栅极和漏极、N型晶体管MN5的栅极、N型晶体管MN3的栅极接电压端IB；所述N型晶体管MN2的源极、N型晶体管MN3的源极和N型晶体管MN4的源极接接地端GND，所述N型晶体管MN3的漏极接N型晶体管MN5的源极、N型晶体管MN0的源极和N型晶体管MN1的源极；所述N型晶体管MN1的栅极接VFB，所述N型晶体管MN0的栅极接VREF；所述N型晶体管MN5的漏极、所述P型晶体管MP0的栅极及其漏极、所述N型晶体管MN0的漏极和所述P型晶体管MP1的栅极相连；所述P型晶体管MP1漏极、N型晶体管MN2的栅极和N型晶体管MN1的漏极相连。

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