海光信息技术股份有限公司薛小帝获国家专利权
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龙图腾网获悉海光信息技术股份有限公司申请的专利芯片性能及功耗分析方法、装置及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117669454B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311846245.1，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权芯片性能及功耗分析方法、装置及相关设备是由薛小帝;陈权设计研发完成，并于2023-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片性能及功耗分析方法、装置及相关设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种芯片性能及功耗分析方法、装置及相关设备，芯片性能及功耗分析方法包括：通过对所述标准单元模型进行仿真，获得各类型晶体管对标准单元性能及功耗影响的第一影响参数组；根据所述第一影响参数组和标准单元使用比率，获得各类型晶体管对芯片性能及功耗影响的第二影响参数组；根据所述第二影响参数组和不同类型晶体管使用比率，获得不同产品器件目标值对芯片性能及功耗影响的第三影响参数组，判断产品器件目标值对所述芯片性能及功耗影响。使得获得芯片样品前的芯片性能分析时的资源消耗减小，且芯片性能分析时的测试数据减少，从而在保证时效性的前提下，降低芯片生产制造初期对芯片性能分析的资源投入。
本发明授权芯片性能及功耗分析方法、装置及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片性能及功耗分析方法，其特征在于，包括： 构建用于模拟待分析芯片标准单元的标准单元模型； 通过对所述标准单元模型进行仿真，并模拟产品器件目标值的调整，获得不同产品器件目标值下，各类型晶体管对标准单元性能及功耗影响的第一影响参数组；所述产品器件目标值为芯片晶体管目标值；所述各类型晶体管的分类依据为：晶体管的阈值电压；所述标准单元性能为：标准单元频率； 根据所述第一影响参数组和标准单元使用比率，获得不同产品器件目标值下，各类型晶体管对芯片性能及功耗影响的第二影响参数组；所述芯片性能为：芯片频率； 根据所述第二影响参数组和不同类型晶体管使用比率，获得不同产品器件目标值对芯片性能及功耗影响的第三影响参数组；所述第三影响参数组用于判断产品器件目标值对所述芯片性能及功耗影响。
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