中国科学院物理研究所陈小龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利一种基于机器学习的精确控温方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117966254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311844415.2，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权一种基于机器学习的精确控温方法是由陈小龙;盛达;王文军;李辉;郭建刚设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于机器学习的精确控温方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于机器学习的精确控温方法。所述控温方法用于液相法生长碳化硅晶体，包括以下步骤：1机器学习阶段：将生长原料置于坩埚中，设定升温至目标温度的第一温度‑时间曲线，通过加热装置对坩埚进行加热以实现第一温度‑时间曲线，使得生长原料熔化成熔体；其中，采集加热装置的功率，获得所述加热装置的温度‑功率关系；2生长阶段：设定生长碳化硅晶体所需的第二温度‑时间曲线，根据所述温度‑功率关系，控制加热装置的功率，实现第二温度‑时间曲线，完成碳化硅晶体的生长。本发明的控温方法能够精确地控制液相法生长碳化硅的生长温度，可适应不同的工况和参数，自动化程度高，重复性好，易于调整和改进。
本发明授权一种基于机器学习的精确控温方法在权利要求书中公布了：1.一种基于机器学习的精确控温方法，其用于液相法生长碳化硅晶体，包括以下步骤： （1）机器学习阶段：将生长原料置于坩埚中，设定升温至目标温度的第一温度-时间曲线，通过控制加热装置对坩埚进行加热以实现所述第一温度-时间曲线，使得生长原料熔化成熔体，所述机器学习阶段中，采用PID算法控制所述加热装置的功率，以实现所述第一温度-时间曲线；其中，采集所述加热装置的功率，获得所述加热装置的温度-功率曲线，根据采集得到的所述加热装置的功率，使用高次多项式、指数函数、最小二乘法、三次样条插值法或贝塞尔曲线法拟合得到所述温度-功率曲线； （2）生长阶段：设定生长碳化硅晶体所需的第二温度-时间曲线，根据所述温度-功率关系，控制所述加热装置的功率，实现所述第二温度-时间曲线，完成碳化硅晶体的生长。
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