江西兆驰半导体有限公司郑文杰获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117810329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311870562.7，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、V坑控制层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层；V坑控制层包括依次层叠的第一阶梯层、第二阶梯层和第三阶梯层；第一阶梯层为N型AlwInxGa1‑w‑xN层和BN层交替层叠形成的周期性结构，第二阶梯层为N型AlyInzGa1‑y‑zN层和BαInβGa1‑α‑βN层交替层叠形成的周期性结构，第三阶梯层为N型AlγInδGa1‑γ‑δN层和Si3N4层交替层叠形成的周期性结构。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、V坑控制层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层；所述V坑控制层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一阶梯层、第二阶梯层和第三阶梯层； 所述第一阶梯层为N型AlwInxGa1-w-xN层和BN层交替层叠形成的周期性结构，所述第二阶梯层为N型AlyInzGa1-y-zN层和BαInβGa1-α-βN层交替层叠形成的周期性结构，所述第三阶梯层为N型AlγInδGa1-γ-δN层和Si3N4层交替层叠形成的周期性结构； 其中，0.01≤w≤y≤γ≤0.1，0.01≤x≤z≤δ≤0.1，α＜y，z≤β。
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