中国科学院上海硅酸盐研究所廖春景获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种高致密度纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117945774B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410035939.5,技术领域涉及:C04B35/80;该发明授权一种高致密度纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料及其制备方法是由廖春景;董绍明;靳喜海;杨金山;罗瀚;薛玉冬;刘大海;顾炎设计研发完成,并于2024-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高致密度纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种高致密度纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料及其制备方法。所述高致密度纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料的制备方法包括:先采用化学气相渗透法在纤维预制体中实现SiBCN基体的初步沉积,再依次采用前驱体浸渍裂解法和二次化学气相渗透法实现SiBCN基体在纤维预制体中的致密化,得到所述高致密度纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料。
本发明授权一种高致密度纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种高致密度纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,包括: 采用化学气相渗透法在纤维预制体中实现SiBCN基体的初步沉积得到第一阶段SiBCN陶瓷基复合材料,所述化学气相渗透法的参数包括:以NH3为氮源,以BCl3为硼源,三氯甲基硅烷MTS为硅源和碳源,H2为载气,N2和Ar为稀释气体,向炉内通入前驱体,在0.01~0.1KPa,600~1000℃下沉积20~50h;所述第一阶段SiBCN陶瓷基复合材料的孔隙率控制在30%以下, 采用前驱体浸渍裂解法实现SiBCN基体的沉积得到第二阶段SiBCN陶瓷基复合材料,所述第二阶段SiBCN陶瓷基复合材料的孔隙率控制在20%以下;所述前驱体浸渍裂解法PIP制备SiBCN陶瓷基体所用前驱体为聚硼硅氮烷;所述前驱体的粘度为20mpa·S以下;所述前驱体所使用自由基引发剂为过氧类引发剂或和偶氮类引发剂;所述自由基引发剂的加入量为聚硼硅氮烷质量的0.1~5wt%; 采用二次化学气相渗透法实现SiBCN基体的沉积得到第三阶段SiBCN陶瓷基复合材料,所述第三阶段SiBCN陶瓷基复合材料的孔隙率达到6%以下;所述二次化学气相渗透法的参数包括:以NH3为氮源,以BCl3为硼源,三氯甲基硅烷MTS为硅源和碳源,H2为载气,N2和Ar为稀释气体,向炉内通入前驱体,在0.01~3KPa,600~1000℃下沉积40~60h。
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