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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利SiBCN界面层、SiBCN界面层保护SiC_f/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117945764B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410035940.8，技术领域涉及：C04B35/628；该发明授权SiBCN界面层、SiBCN界面层保护SiC_f/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法是由廖春景;董绍明;胡建宝;阚艳梅;陈小武;于峰;徐兵;林玲设计研发完成，并于2024-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiBCN界面层、SiBCN界面层保护SiC_f/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及SiBCN界面层、SiBCN界面层保护SiCfSiC陶瓷基复合材料及其制备方法。其中，SiBCN界面层的制备方法包括：1将纤维预制体用夹具固定并放置于炉内反应室中，在真空状态下升温至沉积温度600～850οC并保温0.5h～2h；2三氯甲基硅烷以CH3Cl3Si为硅源和碳源，BCl3为硼源，NH3为氮源，H2为稀释气体和载气，Ar为稀释气体，控制NH3和BCl3分别通过不同的输送管道输送至反应室内，在0.01～3KPa，600～850℃下沉积2h～20h，在纤维预制体中纤维表面制备得到SiBCN界面层；3将沉积有SiBCN界面层的纤维预制体经稳定化处理，得到所述高性能SiBCN界面层。

本发明授权SiBCN界面层、SiBCN界面层保护SiC_f/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高性能SiBCN界面层保护的SiCfSiC陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，包括： （1）将纤维预制体用夹具固定并放置于炉内反应室中，在真空状态下升温至沉积温度600～850℃并保温0.5h～2h； （2）以三氯甲基硅烷CH3Cl3Si为硅源和碳源，BCl3为硼源，NH3为氮源，H2为稀释气体和载气，Ar为稀释气体，控制NH3和BCl3分别通过不同的输送管道输送至反应室内，在0.01～3KPa，600～850℃下沉积2h～20h，在纤维预制体中纤维表面制备得到SiBCN界面层； （3）将沉积有SiBCN界面层的纤维预制体经稳定化处理，得到高性能SiBCN界面层保护的SiC纤维预制体；所述稳定化处理的温度为1100～1500℃，时间为0.5～3h；所述高性能SiBCN界面层的厚度为50nm～2μm； （4）采用化学气相渗透工艺步骤（3）所得的高性能SiBCN界面层保护的SiC纤维预制体进行初步SiC致密化，得到初步致密化的SiBCN界面层保护的SiCfSiC陶瓷基复合材料；将所得初步致密化的SiBCN界面层保护的SiCfSiC陶瓷基复合材料采用液态树脂溶液浸渍，取出后再经固化和裂解；重复该步骤中的浸渍-固化-裂解至少2次，得到含碳多孔预制体； （5）将所述含碳多孔预制体采用反应熔融沉积法进行渗硅处理，得到所述高性能SiBCN界面层保护的SiCfSiC陶瓷基复合材料；采用复合材料三点弯曲强度测试法测试所得高性能SiBCN界面层保护的SiCfSiC陶瓷基复合材料的弯曲强度≥300MPa，弯曲应变≥0.4%。

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