天合光能股份有限公司王子港获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117855295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410074467.4，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳能电池及其制备方法是由王子港;陈达明设计研发完成，并于2024-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法。一种太阳能电池，包括硅片、设置于所述硅片背面的钝化接触结构以及电极图案；所述钝化接触结构包括设置于第一区域，且沿逐渐远离所述硅片的方向依次层叠的第一氧化硅层和掺杂多晶硅层；设置于第二区域，且沿逐渐远离所述硅片的方向依次层叠的第二氧化硅层和掺杂硅化物层；其中，所述第一区域是所述电极图案所在区域，所述第二区域至少包括所述太阳能电池除所述电极图案所在区域以外的其余区域，所述电极图案与所述掺杂多晶硅层形成欧姆接触。上述太阳能电池有利于进一步提高电池的光电转换效率。
本发明授权太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括硅片、设置于所述硅片背面的钝化接触结构以及电极图案； 所述钝化接触结构包括设置于第一区域，且沿逐渐远离所述硅片的方向依次层叠的第一氧化硅层和掺杂多晶硅层；设置于第二区域，且沿逐渐远离所述硅片的方向依次层叠的第二氧化硅层和掺杂硅化物层； 其中，所述电极图案所在区域位于所述第一区域上，所述第二区域为所述太阳能电池除所述电极图案所在区域以外的其余区域，所述电极图案与所述掺杂多晶硅层形成欧姆接触，所述第二氧化硅层和所述掺杂硅化物层还延伸覆盖至所述掺杂多晶硅层远离所述硅片的一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天合光能股份有限公司，其通讯地址为：213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号