联和存储科技(江苏)有限公司金汉洙获国家专利权
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龙图腾网获悉联和存储科技(江苏)有限公司申请的专利NAND FLASH存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118284049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410471511.5，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权NAND FLASH存储器件及其制备方法是由金汉洙;高伟;申女设计研发完成，并于2024-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本NAND FLASH存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种NANDFLASH存储器件及其制备方法，包括：半导体衬底上依次设置第一绝缘层、第一导电体层、第二绝缘层、第二导电体层和金属层；第二导电体层包括第二导电体层第一部分和环绕第二导电体层第一部分间隔设置的第二导电体层第二部分；第二导电体层第一部分位于第一接触孔处且贯穿第一接触孔与第一导电体层接触，第二导电体层第二部分位于第二绝缘层上；第二导电体层第一部分通过第二接触孔将导电电极延伸至金属层，第二导电体层第二部分通过第三接触孔将导电电极延伸至金属层。本发明提供的NANDFLASH存储器件提升了电容器的性能。
本发明授权NAND FLASH存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种NANDFLASH存储器件，其特征在于，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底被划分为存储区域和外围区域，所述存储区域用于形成存储单元，所述外围区域用于形成外围电路，所述外围电路用于驱动所述存储单元的工作； 位于所述外围区域的所述半导体衬底上依次设置第一绝缘层、第一导电体层、第二绝缘层、第二导电体层和金属层， 所述第二绝缘层上形成第一接触孔； 所述第二导电体层包括第二导电体层第一部分和环绕所述第二导电体层第一部分间隔设置的第二导电体层第二部分，所述第二导电体层第一部分和所述第二导电体层第二部分之间形成开口； 所述第二导电体层第一部分位于所述第一接触孔处且贯穿所述第一接触孔与所述第一导电体层接触，所述第二导电体层第二部分位于所述第二绝缘层上； 所述第二导电体层第一部分通过第二接触孔将导电电极延伸至所述金属层，所述第二导电体层第二部分通过第三接触孔将导电电极延伸至所述金属层。
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