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龙图腾网获悉湖南德智新材料有限公司申请的专利一种制备SiC涂层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118581444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410629988.1，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权一种制备SiC涂层的方法是由廖家豪;陆孝龙;柴攀;万强设计研发完成，并于2024-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备SiC涂层的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种制备SiC涂层的方法。该制备方法通过两次化学气相沉积在基体表面先后沉积SiC内涂层和SiC外涂层两层SiC涂层，并通过调整化学气相沉积工艺中的沉积温度、沉积压力和前驱体流量比调控沉积的SiC晶粒尺寸，使SiC内涂层的晶粒尺寸小，SiC外涂层的晶粒尺寸大，从而使其SiC内涂层与基体结合力更好，SiC外涂层致密性更高、均匀性更好，使SiC内外涂层的晶粒尺寸呈梯度分布，提升SiC涂层的抗氧化烧蚀能力和结合强度，降低SiC涂层开裂和脱落的风险，提高SiC涂层的使用寿命。

本发明授权一种制备SiC涂层的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备SiC涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对基体进行预处理后放置于化学气相沉积设备中，对所述化学气相沉积设备进行加热和抽真空，再用惰性气体置换所述化学气相沉积设备中的空气； 2将第一硅碳源气体、第一载气和第一稀释气体的混合气体通入所述化学气相沉积设备中，采用化学气相沉积工艺在所述基体表面进行第一次沉积获得SiC内涂层；第一次沉积的工艺参数包括：第一沉积温度为1000℃-1400℃，第一沉积压力为10Kpa-20Kpa，第一沉积时间为1h-8h，所述第一硅碳源气体和所述第一载气的流量比为1:4-8； 3将第二硅碳源气体、第二载气和第二稀释气体的混合气体通入所述化学气相沉积设备中，采用化学气相沉积工艺在所述SiC内涂层的表面进行第二次沉积获得SiC外涂层；第二次沉积的工艺参数包括：第二沉积温度为1100℃-1500℃，第二沉积压力为5Kpa-16Kpa，第二沉积时间为1h-5h，所述第二硅碳源气体和所述第二载气的流量比为1:8-10； 其中，所述SiC内涂层中SiC晶粒尺寸为0.5μm-2μm； 所述SiC外涂层中SiC晶粒尺寸为10μm-50μm； 所述SiC内涂层还包括晶粒尺寸在500nm-1000nm的纳米SiC晶粒； 所述SiC内涂层中，纳米SiC晶粒的面积占比为3-30％； 所述第二沉积温度比所述第一沉积温度大50℃-100℃； 所述第二沉积压力比所述第一沉积压力小3Kpa-6Kpa。

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