南京芯干线科技有限公司刘辉获国家专利权
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龙图腾网获悉南京芯干线科技有限公司申请的专利一种SiC-MOS器件、逆变器及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223110410U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421339611.4，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种SiC-MOS器件、逆变器及电子设备是由刘辉;傅玥;孔令涛设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC-MOS器件、逆变器及电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种SiC‑MOS器件、逆变器及电子设备，其包括：衬底；漏极，漏极与衬底连接；外延层，外延层与漏极设置于衬底相对的两侧，其内部设有一一对应的N+区以及P‑body区，二者形成沟道，沟道与漏极电连接，P‑body区的横截面直径均匀梯度变化，且靠近漏极的一端的横截面直径最小；源极，电流由漏极经过沟道与源极导通。本实用新型通过特殊设计的P‑body区，在不影响限制结型场效应晶体管区电阻的前提下增大了沟道的导电能力，由此提高了器件的载流子迁移率和导电性能，相比于现阶段常规SiC‑MOS器件来说，本申请使得器件的响应速度更快，更小导通电阻，能量损耗更低，由此在实际使用过程中具有突出优势。
本实用新型一种SiC-MOS器件、逆变器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种SiC-MOS器件，其特征在于：包括： 衬底； 漏极，所述漏极与所述衬底连接； 外延层，所述外延层与所述漏极设置于所述衬底相对的两侧，其内部设有至少一个N+区以及至少一个P-body区，所述N+区于所述P-body区一一对应设置，且二者形成沟道，所述沟道与所述漏极电连接，其中，在所述外延层厚度方向上，所述P-body区的横截面直径均匀梯度变化，且靠近所述漏极的一端的横截面直径最小； 源极，所述源极设置于所述外延层表面，电流由所述漏极经过所述沟道与所述源极导通。
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