台湾积体电路制造股份有限公司丁国强获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体封装件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223108878U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421484919.8，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型半导体封装件是由丁国强;叶松峯;宋大豪;朱书燕设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体封装件包括第一半导体晶粒；在俯视图中，包围第一半导体晶粒的第一包封体；第一半导体晶粒和第一包封体上的接合层；接合层中第一多个虚设垫；接合至接合层的第二半导体晶粒，接合层在第一半导体晶粒和第二半导体晶粒之间；接合至接合层的第一虚设晶粒，其中第一虚设晶粒覆盖第一多个虚设垫，第一虚设晶粒包括：衬底，其中衬底的第一侧面向接合层；衬底的第一侧上有第一介电层；以及第二介电层，其中第二介电层接合至接合层；以及在俯视图中，包围第二半导体晶粒和第一虚设晶粒的第二包封体。
本实用新型半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，其特征在于，包括： 第一半导体晶粒； 包围所述第一半导体晶粒的第一包封体； 所述第一半导体晶粒和所述第一包封体上的接合层； 所述接合层中第一多个虚设垫； 接合至所述接合层的第二半导体晶粒，所述接合层在所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒之间； 接合至所述接合层的第一虚设晶粒，其中所述第一虚设晶粒覆盖所述第一多个虚设垫，所述第一虚设晶粒包括： 衬底，其中所述衬底的第一侧面向所述接合层； 所述衬底的所述第一侧上的第一介电层；以及 第二介电层，其中所述第二介电层接合至所述接合层；以及 包围所述第二半导体晶粒和所述第一虚设晶粒的第二包封体。
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