北京清芯微储能科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉北京清芯微储能科技有限公司申请的专利一种高功率低密度的碳化硅MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223110411U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421547417.5，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种高功率低密度的碳化硅MOSFET器件是由许一力设计研发完成，并于2024-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高功率低密度的碳化硅MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种高功率低密度的碳化硅MOSFET器件，本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有碳化硅衬底，碳化硅衬底的上方设置有碳化硅外延层，碳化硅外延层上设置有导电基区，导电基区的上端两侧分别设置有导电接触层和P阱区，P阱区和导电接触层的上方分别设置有导电屏蔽层和N－漂移区，N－漂移区和导电屏蔽层的上方均设置有导电体区，两个导电体区的上方均设置有导电金属层。该高功率低密度的碳化硅MOSFET器件，可以提供碳化硅MOSFET器件更好的辐射耐受性和电气性能，增加碳化硅MOSFET器件的抗辐射强度，使得碳化硅MOSFET器件的导通效率以及安全可靠性提高，实现高功率低密度特性。
本实用新型一种高功率低密度的碳化硅MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种高功率低密度的碳化硅MOSFET器件，包括漏极1，其特征在于：所述漏极1的上方设置有碳化硅衬底2，所述碳化硅衬底2的上方设置有碳化硅外延层3，所述碳化硅外延层3上设置有导电基区4，所述导电基区4的上端两侧分别设置有导电接触层5和P阱区17，所述P阱区17和导电接触层5的上方分别设置有导电屏蔽层16和N－漂移区6，所述N－漂移区6和导电屏蔽层16的上方均设置有导电体区7，两个所述导电体区7的上方均设置有导电金属层8，两个所述导电金属层8的上方均设置有导电源区9，两个所述导电源区9之间共同设置有介质层11，所述介质层11内设置有栅极氧化层12和抗辐射层，所述介质层11与导电基区4之间设置有导电沟道区14，所述导电沟道区14的两端均设置有三角形槽区，两个所述导电源区9和介质层11上共同设置有金属源极10。
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