深圳黑晶光电技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳黑晶光电技术有限公司申请的专利一种基于双空穴传输层的晶硅太阳能电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223110438U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421621913.0，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型一种基于双空穴传输层的晶硅太阳能电池是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双空穴传输层的晶硅太阳能电池在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于双空穴传输层的晶硅太阳能电池，包括有从下至上依次设置的第一金属电极层、第一透明电极层、N型掺杂多晶硅电子传输层、基底钝化层、硅衬底、基底表面钝化层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第二透明电极层、第二金属电极层、减反射层；所述第一空穴传输层为自组装分子层；所述第二空穴传输层为氧化钇薄膜；所述第二空穴传输层的厚度小于5nm。如此，提供一种基于双空穴传输层的晶硅太阳能电池；采用自组装分子作为第一空穴传输层，采用氧化钇作为第二空穴传输层，实现该空穴传输层与其上下膜层之间的高效能级匹配，提升器件光电转化效率。
本实用新型一种基于双空穴传输层的晶硅太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种基于双空穴传输层的晶硅太阳能电池，其特征在于：包括有从下至上依次设置的第一金属电极层、第一透明电极层、N型掺杂多晶硅电子传输层、基底钝化层、硅衬底、基底表面钝化层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、第二透明电极层、第二金属电极层、减反射层； 所述第一空穴传输层为自组装分子层；所述第二空穴传输层为氧化钇薄膜；所述第二空穴传输层的厚度小于5nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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