上海韦尔半导体股份有限公司李登辉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种高保持电流瞬态电压抑制器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223110415U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421650230.8，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种高保持电流瞬态电压抑制器件是由李登辉;许成宗设计研发完成，并于2024-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高保持电流瞬态电压抑制器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种高保持电流瞬态电压抑制器件，具体通过将NPN结构与PNPN结构SCR特性并联，且NPN结构的击穿电压低于PNPN结构SCR特性的击穿电压，当在小电流时电流路径为NPN结构，当NPN结构两端的钳位电压大于PNPN结构SCR特性的击穿电压时，触发PNPN结构SCR特性，电流路径由NPN结构转换为PNPN结构SCR特性，进而解决现有二极管特性和传统NPN结构特性瞬态电压抑制器件钳位电压高，PNPN结构SCR特性虽然钳位电压低，但存在闩锁风险的问题。
本实用新型一种高保持电流瞬态电压抑制器件在权利要求书中公布了：1.一种高保持电流瞬态电压抑制器件，其特征在于，包括：NPN结构和PNPN结构； 所述NPN结构和所述PNPN结构均设置在硅结构中； 所述NPN结构和所述PNPN结构并联设置； 所述NPN结构一端和所述PNPN结构一端分别均与电压输入端口连接，所述NPN结构另一端和所述PNPN结构另一端分别均与接地端连接； 所述NPN结构的击穿电压低于所述PNPN结构的击穿电压，当所述电压输入端输入电压大于预设电压时，所述NPN结构导通，所述电压输入端输入的电流流经所述NPN结构；当所述NPN结构两端的钳位电压大于所述PNPN结构的击穿电压时，所述PNPN结构导通，所述电压输入端输入的电流由流经所述NPN结构变为流经所述PNPN结构。
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