深圳长晶微电子有限公司周雄标获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳长晶微电子有限公司申请的专利非对称台面的双向TVS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223110409U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421649343.6，技术领域涉及：H10D8/00；该实用新型非对称台面的双向TVS器件是由周雄标;刘宗贺;吴沛冬;郭佳秋;姚秀珍;刘志强;李长林;李柏燎;马海军设计研发完成，并于2024-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本非对称台面的双向TVS器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种非对称台面的双向TVS器件，包括基板、分别设于基板上表面和下表面的第一掺杂层和第二掺杂层、设于第一掺杂层上的第一电极及设于第二掺杂层上的第二电极，在基板的上部形成第一沟槽，在基板的下部边缘形成第二沟槽，第一沟槽的上表面设有第一钝化层，第二沟槽的下表面设有第二钝化层。第一沟槽的截面呈“U”型，其一侧靠近基板边缘，其另一侧延伸至第一掺杂层的边缘；第二沟槽的截面呈“C”型，其远离基板边缘的一侧延伸至第二掺杂层的边缘。本实用新型中非对称的第一沟槽和第二沟槽结构，不仅具有良好的体内阻断能力，还可保证第一PN结和第二PN结的耐压一致性。
本实用新型非对称台面的双向TVS器件在权利要求书中公布了：1.一种非对称台面的双向TVS器件，其特征在于，该器件包括基板、分别设于所述基板上表面和下表面的第一掺杂层和第二掺杂层、设于所述第一掺杂层上表面的第一电极及设于所述第二掺杂层下表面的第二电极，在所述基板的上部形成两个第一沟槽，且两个所述第一沟槽分别设于所述基板上部两端；在所述基板的下部边缘形成两个第二沟槽，且两个所述第二沟槽分别设于所述基板下部两端边缘； 所述第一沟槽的截面呈“U”型，其一侧靠近所述基板边缘，其另一侧延伸至所述第一掺杂层的边缘；所述第二沟槽的截面呈“C”型，其远离所述基板边缘的一侧延伸至第二掺杂层的边缘。
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