美新半导体(天津)有限公司德沃·莫莉获国家专利权
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龙图腾网获悉美新半导体(天津)有限公司申请的专利具有两个独立空腔的MEMS装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223102748U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421672681.1，技术领域涉及：B81B7/00；该实用新型具有两个独立空腔的MEMS装置是由德沃·莫莉;威廉姆斯·凯特设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有两个独立空腔的MEMS装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种具有两个独立空腔的MEMS装置。所述MEMS装置包括：MEMS晶圆；与MEMS晶圆键合的盖体晶圆，其中所述MEMS晶圆和盖体晶圆之间形成有密封的第一空腔和第二空腔；形成于所述MEMS晶圆或和所述盖体晶圆上的气体释放材料层，所述气体释放材料层暴露于第一空腔，所述气体释放材料层在所述MEMS晶圆与所述盖体晶圆键合过程中或在被加热时释放出气体至第一空腔以改变第一空腔内的压力。这样，可以更为方便的在同一颗芯片上形成压力不同的两个空腔。
本实用新型具有两个独立空腔的MEMS装置在权利要求书中公布了：1.一种MEMS装置，其特征在于，其包括： MEMS晶圆； 与MEMS晶圆键合的盖体晶圆，其中所述MEMS晶圆和盖体晶圆之间形成有密封的第一空腔和第二空腔； 形成于所述MEMS晶圆或和所述盖体晶圆上的气体释放材料层，所述气体释放材料层暴露于第一空腔，所述气体释放材料层在所述MEMS晶圆与所述盖体晶圆键合过程中或在被加热时释放出气体至第一空腔以改变第一空腔内的压力。
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