浙江奥首材料科技有限公司侯军获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江奥首材料科技有限公司申请的专利一种稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液、其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119020039B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411075844.2，技术领域涉及：C09K13/06；该发明授权一种稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液、其制备方法和应用是由侯军;吕晶;褚雨露;王琅设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液、其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液、其制备方法和应用，本发明稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液包括重量配比如下的各组分：环状化合物0.3‑1份；过氧化氢15‑25份；碱5‑15份；缓蚀剂0.1‑0.5份；超纯水50‑90份。本发明稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液能有效抑制过氧化氢的分解和稳定蚀刻氮化钛硬掩膜。本发明稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液在持续投入芯片的情况下，仍然能够稳定蚀刻氮化钛硬掩膜，同时保证芯片上的残留物被清洗完全。本发明稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液在半导体芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
本发明授权一种稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液、其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种稳定蚀刻TiN的长寿命芯片清洗液，其特征在于，由重量配比如下的各组分组成： 环状化合物0.3-1份； 过氧化氢15-25份； 碱5-15份； 缓蚀剂0.1-0.5份； 超纯水50-90份； 所述环状化合物为四磺酸酞菁、5,28-二氢-29H,31H-酞菁、二氮杂18-冠醚-6和1-氮杂-18冠-6-醚中的一种或多种； 所述缓蚀剂为含氟吲唑类化合物。
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