台湾积体电路制造股份有限公司萧闵谦获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223108879U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421966219.2，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型半导体装置是由萧闵谦;史朝文;丁国强;陈燕铭设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供一种半导体装置，包括第一半导体封装，第一半导体封装包括封装在绝缘材料中的第一半导体管芯；位在第一半导体管芯之上的第一耐热膨胀层；位在第一耐热膨胀层和绝缘材料之上的接合层；以及直接接合到接合层的第二半导体管芯。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 第一半导体封装，包括包封在绝缘材料中的第一半导体管芯； 第一耐热膨胀层，位在所述第一半导体管芯之上； 接合层，位在所述第一耐热膨胀层和所述绝缘材料之上；以及 第二半导体管芯，直接接合到所述接合层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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