上海韦尔半导体股份有限公司薛华瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223108363U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421990059.5，技术领域涉及：G06F30/392；该实用新型一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图是由薛华瑞;董建新设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图，主要在现有技术的基础上，在部分第一注入区增加第二注入区的掩膜区，所以整个MOSFET中存在两种不同的阈值电压，电流主要从阈值电压低的沟槽流出，在其他工艺不变的情况下，本申请可以使MOSFET处于安全工作区，优化MOSFET安全工作区的过流能力。
本实用新型一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图在权利要求书中公布了：1.一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图，其特征在于，包括：隔离环区、多个沟槽区、第一注入区和第二注入区； 所述隔离环区间隔设置在所述沟槽区外围； 多个所述沟槽区间隔设置，相邻两个所述沟槽区之间设置有所述第一注入区和第二注入区，部分所述第一注入区上方设置有第二注入区的掩膜区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海韦尔半导体股份有限公司，其通讯地址为：200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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