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龙图腾网获悉厦门法拉电子股份有限公司申请的专利一种薄膜电容器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223108686U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422009979.0，技术领域涉及：H01G4/005；该实用新型一种薄膜电容器是由郑建林;赖敏杰;向艳雄设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜电容器在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种薄膜电容器，第一金属镀层设有非高方阻区域及与非高方阻区域连接的高方阻区域，第二金属镀层设有高方阻区域或者非高方阻区域及与非高方阻区域连接的高方阻区域，高方阻区域上形成由横向绝缘间隙和纵向绝缘间隙围成的金属网格，金属网格之间通过保险丝连接；第一金属镀层的非高方阻区域与第二金属镀层的高方阻区域相对，第一金属镀层的非高方阻区域与高方阻区域连接区域、非高方阻区域对应第二金属镀层的至少一阶金属膜网格区域。本实用新型使其中一金属镀层的非高方阻区域与高方阻区域连接区域和非高方阻区域对应另一金属镀层的至少一阶金属膜网格区域，减少另一金属镀层的网格区域内由于缺陷自愈造成的电容器容量损失。

本实用新型一种薄膜电容器在权利要求书中公布了：1.一种薄膜电容器，其特征在于：包括电介质薄膜、第一金属镀层和第二金属镀层；所述第一金属镀层覆盖在所述电介质薄膜的第一膜面上，所述第二金属镀层覆盖在所述电介质薄膜的第二膜面上； 所述第一金属镀层设有非高方阻区域及与所述非高方阻区域连接的高方阻区域，所述第二金属镀层设有高方阻区域或者非高方阻区域及与所述非高方阻区域连接的高方阻区域，所述高方阻区域上形成由横向绝缘间隙和纵向绝缘间隙围成的金属网格，所述金属网格之间通过保险丝连接； 所述第一金属镀层的非高方阻区域与所述第二金属镀层的高方阻区域相对，所述第一金属镀层的非高方阻区域与高方阻区域连接区域、非高方阻区域对应所述第二金属镀层的至少一阶金属膜网格区域，所述非高方阻区域与高方阻区域连接区域为所述非高方阻区域与高方阻区域连接线沿膜宽方向延伸至高方阻区域，所述非高方阻区域与高方阻区域连接区域沿膜宽的宽度为0-6mm； 所述第一金属镀层的非高方阻区域与高方阻区域连接区域靠近高方阻区域的边缘与所述第二金属镀层的金属网格的纵向绝缘间隙相对。

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