合肥晶合集成电路股份有限公司宋富冉获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119742276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510257027.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中制备方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成隔离层；在隔离层上形成特定结构的第一金属结构层；于第一金属结构层上形成自然氧化层；在自然氧化层上形成保护层；在保护层上形成掩膜层，以该掩膜层为掩膜向下刻蚀保护层和自然氧化层，形成预留的交叠结构位置；在预设条件下，于对应预留的交叠结构位置的第一金属结构层上形成后续氧化层；在后续氧化层上形成第二金属层，刻蚀该第二金属层形成交叠结构，且在刻蚀该第二金属层时将保护层作为刻蚀截止层以保护第一金属结构层。本发明可以有效防止刻蚀第二层金属时损伤非交叠结构处的第一层金属结构层，避免可靠性出现问题。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供基底； 在基底上形成隔离层； 在隔离层上形成特定结构的第一金属结构层； 于第一金属结构层上形成自然氧化层； 在自然氧化层上形成保护层； 在保护层上形成掩膜层，以该掩膜层为掩膜向下刻蚀保护层和自然氧化层，形成预留的交叠结构位置； 在预设条件下，于对应预留的交叠结构位置的第一金属结构层上形成后续氧化层； 在后续氧化层上形成第二金属层，刻蚀该第二金属层形成交叠结构，该交叠结构由两块超导体夹以势垒层而构成；且在刻蚀该第二金属层时将保护层作为刻蚀停止层以保护非交叠结构处的第一金属结构层。
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