同济大学王颖获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种双信号分子印迹传感器及其制备方法与其在检测GenX中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119881047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510346052.2，技术领域涉及：G01N27/30；该发明授权一种双信号分子印迹传感器及其制备方法与其在检测GenX中的应用是由王颖;程琛;李风亭设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双信号分子印迹传感器及其制备方法与其在检测GenX中的应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双信号分子印迹传感器及其制备方法与其在检测GenX中的应用。本发明双信号分子印迹传感器包括基础电极，以及依次设置于所述基础电极表面的金纳米颗粒、焦耳热碳材料层、硫堇内置探针和MIP薄膜，所述MIP薄膜包括去除GenX模板分子的聚合物单体。本发明利用ECBAuNPs涂层有助于增强伏安响应，MIP层的优化设置提供了更高的峰值变化。制备的电化学传感器用于检测水中的GenX，具有特异性高，稳定性强、抗干扰能力好的优点。
本发明授权一种双信号分子印迹传感器及其制备方法与其在检测GenX中的应用在权利要求书中公布了：1.一种双信号分子印迹传感器，其特征在于，包括基础电极，以及依次设置于所述基础电极表面的金纳米颗粒、焦耳热碳材料层、硫堇内置探针和MIP薄膜，所述MIP薄膜包括去除GenX模板分子的聚合物单体；所述基础电极为玻碳电极；所述聚合物单体包括邻苯二胺与3,4-乙烯二氧噻吩。
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