中国科学院上海硅酸盐研究所吴云涛获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种稀土离子掺杂增强电离辐射发光低维卤化物闪烁体及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119979155B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510458397.7，技术领域涉及：C09K11/61；该发明授权一种稀土离子掺杂增强电离辐射发光低维卤化物闪烁体及其制备方法与应用是由吴云涛;王治华;王谦设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种稀土离子掺杂增强电离辐射发光低维卤化物闪烁体及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种稀土离子掺杂增强电离辐射发光低维卤化物闪烁体及其制备方法与应用，属于闪烁材料技术领域。针对稀土离子RE离子半径与低维卤化物A5B3ClxBryI1‑x‑y8材料晶格适配度差、掺杂过程中两者熔点难以兼顾以及容易发生浓度分凝与难以大尺寸晶体生长的问题，本发明通过调控卤素阴离子固溶比与稀土离子掺杂浓度，即控制0.25≤x≤0.875、0≤y≤1、x+y≤1、0＜m＜10，同时采取旋转下降法进行晶体生长，最终得到具有高电离辐射发光效率、高光输出等优势的闪烁体单晶材料A5B3ClxBryI1‑x‑y8:mat%RE，且该材料可应用于X射线成像、γ射线探测和粒子探测等领域。
本发明授权一种稀土离子掺杂增强电离辐射发光低维卤化物闪烁体及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种稀土离子掺杂增强电离辐射发光低维卤化物闪烁体，其特征在于，所述稀土离子掺杂增强电离辐射发光低维卤化物闪烁体的化学式为A5B3ClxBryI1-x-y8:mat%RE； 其中：A=Cs，B=Cu，RE为Eu2+、Yb2+、Ce3+、Pr3+、Sc3+、Y3+、La3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Tb3+稀土离子中的至少一种；0.25≤x≤0.875、0≤y≤1、x+y≤1；m表示RE稀土离子的掺杂浓度，0＜m＜10。
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