株式会社日本显示器山口阳平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日本显示器申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211306654.8，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权显示装置是由山口阳平;铃村功设计研发完成，并于2018-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置在说明书摘要公布了：本发明涉及显示装置。要解决的课题在于提高使用氧化物半导体的TFT的可靠性。显示装置的特征在于，包含具有形成有多个像素的显示区域的基板，所述像素包含使用了第一氧化物半导体12的第一TFT，在所述第一氧化物半导体12之上，形成第一栅极绝缘膜13，所述第一栅极绝缘膜13由第一硅氧化膜131与第一铝氧化膜132的层叠构造形成，在所述第一铝氧化膜131之上形成有第一栅电极14。
本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.显示装置的制造方法，其是具有多个薄膜晶体管的显示装置的制造方法，其特征在于，具有： 在TFT基板上形成氧化物半导体的工序； 在所述氧化物半导体之上形成硅氧化膜的工序； 在所述硅氧化膜上形成铝氧化膜的工序； 在所述氧化物半导体之上形成栅电极的工序；和 在所述栅电极之上形成层间绝缘膜的工序， 其中，所述铝氧化膜的膜厚为1至20nm， 所述硅氧化膜的缺陷密度低于所述层间绝缘膜的缺陷密度，经ESR分析，所述硅氧化膜的缺陷密度为1×1018以下，其单位为spinscm3， 经TDS分析，在Mz＝32的条件下，所述硅氧化膜的氧O2放出量在100℃至250℃为1×1015以上，其单位为molec.cm2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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