英飞凌科技有限责任公司陈春获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技有限责任公司申请的专利用薄栅极多晶硅形成高电压晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117750773B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311783966.2，技术领域涉及：H10B43/40；该发明授权用薄栅极多晶硅形成高电压晶体管的方法是由陈春;J·朴;金恩顺;姜仁国;姜成泽;张国栋设计研发完成，并于2018-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本用薄栅极多晶硅形成高电压晶体管的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及用薄栅极多晶硅形成高电压晶体管的方法。公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括在外围区域中的衬底的表面上形成的栅极电介质上沉积多晶硅栅极层，在多晶硅栅极层上形成电介质层，以及在电介质层上沉积高度提高HE膜。然后，对HE膜、电介质层、多晶硅栅极层和栅极电介质进行图案化，以便在外围区域中形成高压场效应晶体管HVFET栅极。执行高能量注入以在邻近HVFET栅极的衬底中的源极区域或漏极区域中形成至少一个轻掺杂区域。然后去除HE膜，并在外围区域中的衬底上形成低压LV逻辑FET。在一个实施例中，LV逻辑FET是高k金属栅极逻辑FET。
本发明授权用薄栅极多晶硅形成高电压晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 在存储器区域中的衬底的表面上形成电荷俘获堆叠； 在外围区域中的所述衬底的表面上形成栅极电介质； 在所述存储器区域和所述外围区域中的所述衬底的表面上沉积第一多晶硅层和高度提高膜，其中，所述高度提高膜包括非晶硅膜或多晶硅膜； 图案化所述高度提高膜、所述第一多晶硅层和所述电荷俘获堆叠以在所述存储器区域中形成存储器栅极； 在所述外围区域中的高电压区中图案化所述高度提高膜、所述第一多晶硅层和所述栅极电介质以形成高电压栅极； 注入离子以在邻近所述高电压栅极的所述衬底中形成第一源极漏极区域； 在所述衬底的表面上沉积第二多晶硅层；以及 平面化所述第二多晶硅层，以去除所述第二多晶硅层的在所述存储器栅极和所述高电压栅极上方延伸的部分； 其中，所述第一源极漏极区域包括注入到所述衬底中的深度大于所述衬底的表面上方的所述高电压栅极的高度的离子。
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