上海谙邦半导体设备有限公司张朋兵获国家专利权
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龙图腾网获悉上海谙邦半导体设备有限公司申请的专利一种等离子体源系统及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864368B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210299145.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种等离子体源系统及其使用方法是由张朋兵;陈世名设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体源系统及其使用方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种等离子体源系统及其使用方法，属于等离子体刻蚀技术领域，具体包括反应腔主体；位于所述反应腔主体上方的感性耦合射频单元，所述感性耦合射频单元用于产生进入所述反应腔主体参加反应的等离子体；所述反应腔主体内设有支撑平台和位置可调的腔体保护环，所述支撑平台用于放置晶圆，所述腔体保护环环绕所述反应腔主体的内壁进行设置且位于所述支撑平台的周围，所述腔体保护环沿圆周方向设有多个磁性件，所述磁性件用于调节所述晶圆边缘的等离子体密度。通过本申请的处理方案，提高了晶圆表面刻蚀速率的均匀性，以及对反应腔主体进行有效防护。
本发明授权一种等离子体源系统及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体源系统，其特征在于，包括： 反应腔主体； 位于所述反应腔主体上方的感性耦合射频单元，所述感性耦合射频单元用于产生进入所述反应腔主体参加反应的等离子体； 所述反应腔主体内设有支撑平台和位置可调的腔体保护环，所述支撑平台用于放置晶圆，所述腔体保护环环绕所述反应腔主体的内壁进行设置且位于所述支撑平台的周围，所述腔体保护环沿圆周方向设有多个磁性件，所述磁性件用于调节所述晶圆边缘的等离子体密度； 磁性件间的磁场在腔体保护环内侧靠近晶圆的边缘位置诱导出一个平行于腔体保护环或晶圆边缘的角向电场E； 通过调整腔体保护环上磁性件个数，从而调整晶圆边缘的等离子体浓度分布，或者，将腔体保护环设置为分段式结构，单独调整每一段腔体保护环的位置以及其上的磁性件个数，从而调整晶圆边缘的等离子体浓度分布。
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