珠海多创科技有限公司刘明获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海多创科技有限公司申请的专利一种拓扑识别接收模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114895093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210394685.7，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一种拓扑识别接收模块是由刘明;胡忠强;关蒙萌;黄豪;周子尧;朱家训设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种拓扑识别接收模块在说明书摘要公布了：一种拓扑识别接收模块，包括：聚磁环、磁传感芯片及信号处理电路；磁传感芯片包括测量电容和参考电容，测量电容由多个测量磁电容元件并联而成，测量磁电容元件包括下电极层、钉扎层、第一绝缘层、自由层及上电极层，测量磁电容元件的钉扎层的磁化方向不变，测量磁电容元件的自由层的磁化方向随外磁场变化；参考电容由多个参考磁电容元件并联而成，参考磁电容元件包括下电极层、钉扎层、第一绝缘层、自由层、上电极层、第二绝缘层及磁屏蔽层，参考磁电容元件的自由层及钉扎层的磁化方向不变；信号处理电路包括电容检测电路和微控制处理器。本发明拓扑识别接收模块使用TMC磁传感芯片，相同条件下TMC效应大于TMR效应，实现了更高的灵敏度。
本发明授权一种拓扑识别接收模块在权利要求书中公布了：1.一种拓扑识别接收模块，包括：聚磁环、设置于所述聚磁环缺口处或开口处的磁传感芯片，与所述磁传感芯片相连的信号处理电路； 其特征在于： 所述磁传感芯片包括测量电容和参考电容，其中， 所述测量电容由多个测量磁电容元件并联而成，所述测量磁电容元件从下往上依次包括下电极层、钉扎层、第一绝缘层、自由层及上电极层，所述测量磁电容元件的钉扎层的磁化方向不变，所述测量磁电容元件的自由层的磁化方向随外磁场变化； 所述参考电容由多个参考磁电容元件并联而成，所述参考磁电容元件从下往上依次包括下电极层、钉扎层、第一绝缘层、自由层、上电极层、第二绝缘层及磁屏蔽层，所述参考磁电容元件的自由层及钉扎层的磁化方向不变； 所述信号处理电路包括用于获取所述测量电容的电容值的电容检测电路以及与所述电容检测电路相连的微控制处理器。
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