上海华力微电子有限公司邹雅获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利缺陷样品的制备方法及互连结构缺陷的失效分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114964949B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210438345.X，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权缺陷样品的制备方法及互连结构缺陷的失效分析方法是由邹雅;武城;周文婷;凌翔;高金德设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本缺陷样品的制备方法及互连结构缺陷的失效分析方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种缺陷样品的制备方法及互连结构缺陷的失效分析方法，所述缺陷样品的制备方法包括：提供一具有待分析缺陷的半导体结构；在互连结构中形成一标记，标记与待分析缺陷间隔设置；研磨互连结构获得缺陷样品，其中，标记周围的互连结构在研磨过程中沿标记的侧壁出现分层状况，并通过光学显微镜观察根据分层状况判断互连结构的剩余层数以实现研磨过程的定位。本发明中，通过在待分析缺陷周围形成标记，且标记的侧壁暴露互连结构，利用研磨过程中对标记的侧壁的研磨程度的差异使得标记附近的互连结构出现分层状况，通过该分层状况以对该研磨过程实现准确定位，从而实现简便且高效的制备缺陷样品。
本发明授权缺陷样品的制备方法及互连结构缺陷的失效分析方法在权利要求书中公布了：1.一种缺陷样品的制备方法，其特征在于，包括： 提供一具有待分析缺陷的半导体结构，所述半导体结构包括衬底及形成于所述衬底上的互连结构，所述互连结构包括多层金属层，所述待分析缺陷位于所述金属层中； 在所述互连结构中形成偶数个标记，所述标记与所述待分析缺陷间隔预设距离，所述标记为一开口，所述开口贯穿所述互连结构且所述开口的侧壁暴露所述多层金属层，偶数个所述标记对称且均匀分布于所述待分析缺陷的四周； 研磨所述互连结构以获得缺陷样品，其中，所述标记周围的互连结构在研磨过程中沿所述标记的侧壁出现分层状况，并通过光学显微镜观察所述分层状况以判断所述互连结构的剩余层数用于实现所述研磨过程的定位，所述互连结构还包括多层介质层，介质层与金属层交替设置，研磨所述互连结构至所述待分析缺陷所在的金属层的上一层的介质层，以获得所述缺陷样品。
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