华灿光电(浙江)有限公司王群获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利功率二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975639B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210423426.2，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权功率二极管及其制备方法是由王群;龚逸品;李鹏;王江波设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开公开了功率二极管及其制备方法，属于二极管制作领域。在N型重掺杂氮化镓层与N型轻掺杂氮化镓层之间增加AlGaN层，形成的二维电子气也可以促进电子的移动与扩展，降低电阻。在平行于衬底的表面且由肖特基电极指向欧姆电极的方向上，AlGaN层的厚度增加，可以起到控制功率二极管中不同位置处电子的移动速率，降低电子从肖特基电极垂直移动至欧姆电极的概率，使得外延片内各部位的电子在两个电极之间移动的路径接近相同，电子可以更均匀地在功率二极管的内部移动。可以在导通电阻相当的情况下有效提高了电流分布的均匀性，提升了反向击穿电压，提高最终得到的功率二极管的可靠性。
本发明授权功率二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率二极管，其特征在于，所述功率二极管包括外延片、肖特基电极与欧姆电极，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的N型重掺杂氮化镓层、AlGaN层与N型轻掺杂氮化镓层，所述N型轻掺杂氮化镓层的表面具有延伸至所述N型重掺杂氮化镓层的凹槽，所述肖特基电极与所述N型轻掺杂氮化镓层相连，所述欧姆电极与所述N型重掺杂氮化镓层被所述凹槽暴露的表面相连， 在平行于所述衬底的表面且由所述肖特基电极指向所述欧姆电极的方向上，所述AlGaN层的厚度增加。
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