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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于集成PIN的碳化硅MOS结构智能测热芯片及其版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210423453.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权基于集成PIN的碳化硅MOS结构智能测热芯片及其版图结构是由何艳静;詹欣斌;袁嵩;江希;弓小武设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于集成PIN的碳化硅MOS结构智能测热芯片及其版图结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于集成PIN的碳化硅MOS结构智能测热芯片及其版图结构，源极、阴极、栅极、第一P+注入区、第一N+注入区、第一P阱区、第二P+注入区、第二N+注入区、N‑外延区、N+衬底区、漏极、栅氧化层、第二P阱区、钝化层、源极接触、N+源区和漏极接触。本发明能够在碳化硅MOSFET结构中集成PIN二极管，通过PIN二极管对芯片温度进行实时监控，能够提高器件的可靠性。

本发明授权基于集成PIN的碳化硅MOS结构智能测热芯片及其版图结构在权利要求书中公布了：1.一种基于集成PIN的碳化硅MOS结构智能测热芯片，其特征在于，所述芯片包括： 源极1、阴极2、栅极3、第一P+注入区4、第一N+注入区5、第一P阱区6、第二P+注入区7、第二N+注入区8、N-外延区9、N+衬底区10、漏极11、栅氧化层12、第二P阱区13、钝化层14、源极接触15、N+源区16和漏极接触17；其中， 所述漏极接触17位于所述漏极11的上方； 所述N+衬底区10位于所述漏极接触17的上方； 所述N-外延区9位于所述N+衬底区10的上方； 所述第一P阱区6嵌于所述N-外延区9的上方一侧； 所述第二P阱区13嵌于所述N-外延区9的上方另一侧； 所述第一P+注入区4嵌于所述第一P阱区6的上方一侧； 所述第一N+注入区5嵌于所述第一P阱区6的上方另一侧； 所述第二P+注入区7嵌于所述第二P阱区13的上方一侧； 所述N+源区16嵌于所述第二P阱区13的上方另一侧； 所述第二N+注入区8位于所述第二P+注入区7和所述N+源区16之间； 所述栅氧化层12位于所述N-外延区9的上方； 所述钝化层14位于所述栅氧化层12的上方一侧； 所述栅极3位于所述栅氧化层12的上方另一侧； 所述阴极2位于所述第一P+注入区4上方，且竖直部分嵌于所述钝化层14和所述栅氧化层12中，水平部分位于所述钝化层14的上方； 所述源极1包括第一源极、第二源极和第三源极； 所述源极1的结构包括竖直部分和水平部分，其中，水平部分的宽度大于竖直部分的宽度； 所述第一源极位于所述第一N+注入区5的上方，且竖直部分嵌于所述钝化层14和所述栅氧化层12中，水平部分位于所述钝化层14的上方； 所述第二源极位于所述第二N+注入区8的上方的一侧，且竖直部分嵌于所述钝化层14的部分区域，水平部分位于所述钝化层14的上方； 所述第二源极位于所述第二N+注入区8的上方的另一侧，且竖直部分嵌于所述钝化层14的部分区域，水平部分位于所述钝化层14的上方； 所述第二源极和所述第三源极的竖直部分相接触； 所述源极接触15位于所述第二N+注入区8的上方，且位于所述第二源极和所述第三源极的竖直部分的下方； 所述栅极3位于所述第一源极和所述第二源极之间，并嵌于所述钝化层14的下方，其下表面与所述栅氧化层12相接触； 其中， 所述第一P+注入区4、第一N+注入区5和第一P阱区6构成PIN二极管的元胞； 所述第二P+注入区7、第二N+注入区8、N+源区16、第二P阱区13、N-外延区9、N+衬底区10、漏极11和漏极接触17构成MOSFET元胞区。

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