上海晶丰明源半导体股份有限公司许曙明获国家专利权
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龙图腾网获悉上海晶丰明源半导体股份有限公司申请的专利横向扩散金属氧化物半导体器件及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883410B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210426847.0，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权横向扩散金属氧化物半导体器件及其加工方法是由许曙明;时磊;吴健设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本横向扩散金属氧化物半导体器件及其加工方法在说明书摘要公布了：该发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件及其加工方法，该LDMOS器件包括第一导电类型的半导体衬底、形成在至少一部分衬底上的第二导电类型的掺杂漂移区、以及形成在掺杂漂移区中的第一导电类型的体区。第二导电类型的源极区域和漏极区域分别靠近体区和掺杂漂移区的上表面形成，并且彼此横向间隔。栅极结构设置在源极区域和漏极区域之间，栅极结构包括形成在体区上方的控制栅极和形成在掺杂漂移区上方的场板，栅极结构通过第一绝缘层与体区和掺杂漂移区电隔离。在场板的一部分和漂移区的一部分上形成氧化物结构，该氧化物结构与场板的角重叠。
本发明授权横向扩散金属氧化物半导体器件及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件，包括： 第一导电类型的半导体衬底； 第二导电类型的掺杂漂移区，该掺杂漂移区形成于所述衬底的至少一部分上，所述的第二导电类型的极性与所述的第一导电类型相反； 第一导电类型的体区，该体区形成在所述掺杂漂移区中，且接近所述掺杂漂移区的上表面； 第二导电类型的源极区域和漏极区域，分别形成在所述体区和掺杂漂移区的上表面附近，且彼此横向间隔； 栅极结构，包括控制栅极以及场板，该控制栅极形成于所述体区的至少一部分的上方，该场板形成于所述掺杂漂移区的至少一部分的上方，所述栅极结构设置于所述源极区域与漏极区域之间，并通过第一绝缘层与所述体区及所述掺杂漂移区电隔离，所述第一绝缘层形成于所述栅极结构与所述体区及该掺杂漂移区之间；以及 氧化物结构，该氧化物结构形成于所述场板的一部分及所述掺杂漂移区的一部分上，所述氧化物结构与所述场板的角重叠。
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