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龙图腾网获悉武汉智瑞捷电气技术有限公司申请的专利高精度大通流微阻抗电阻的测试方法及无感电阻模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114740268B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210432433.9，技术领域涉及：G01R27/08；该发明授权高精度大通流微阻抗电阻的测试方法及无感电阻模块是由戴勇军;徐井雄;凌达;屈必成设计研发完成，并于2022-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本高精度大通流微阻抗电阻的测试方法及无感电阻模块在说明书摘要公布了：本发明涉及无感电阻性能测试技术领域，解决了目前无法针对负载在真实试验之前进行模拟测试相关性能的技术问题，尤其涉及一种高精度大通流微阻抗电阻的测试方法，包括以下过程：S1、选取待测试电阻模块中的基础负载电阻；S2、实测基础负载电阻的电阻值以及电感值；S3、对基础负载电阻进行通流试验；S4、按仿真模型搭建试验平台，将基础负载电阻接入试验平台进行通流实际测试；S5、对基础负载电阻进行温度变化测试；若基础负载电阻的整体温度上升可控，则基础负载电阻的整体结构稳定可靠。本发明达到了为负载在真实试验之前进行模拟测试的目的，同时为真实试验提供可靠的模拟数据依据。

本发明授权高精度大通流微阻抗电阻的测试方法及无感电阻模块在权利要求书中公布了：1.一种高精度大通流微阻抗电阻的测试方法，其特征在于，包括以下过程： S1、选取待测试电阻模块中的基础负载电阻； S2、实测基础负载电阻的电阻值以及电感值； S3、对基础负载电阻进行通流试验，包括： S31、搭建通流试验仿真模型； S32、通过仿真模型模拟基础负载电阻的真实放电工况； S4、按仿真模型搭建试验平台，将基础负载电阻接入试验平台进行通流实际测试，包括： S41、控制充电电压缓慢上升，然后进行触发放电； S42、得出触发放电工况并与真实放电工况比对； 若比对结果一致，则基础负载电阻结构稳定，结构无形变以及损坏现象，整体结构稳定可靠； 若比对结果不一致，则基础负载电阻存在不稳定性； S5、对基础负载电阻进行温度变化测试； 若基础负载电阻的整体温度上升可控，则基础负载电阻的整体结构稳定可靠； 若基础负载电阻的整体温度上升不可控，则基础负载电阻的整体结构存在不稳定性； S6、得出对基础负载电阻的测试结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉智瑞捷电气技术有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷三路777号C1-2综合保税区一期2号电子厂房5层南门区域(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。