华灿光电(浙江)有限公司洪威威获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利提高可靠性的发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883464B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210448660.0，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权提高可靠性的发光二极管外延片及其制备方法是由洪威威;陆香花;肖云飞;李鹏设计研发完成，并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高可靠性的发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开公开了提高可靠性的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。p型GaN层上的p型复合接触层包括依次层叠的第一铝镓氮子层、第二铝镓氮子层、第三铝铟镓氮子层、第四铝铟镓氮子层与第五铟镓氮子层，厚度较大且存在几次势垒变化的p型复合接触层避免电流出现击穿的情况。也可使载流子更均匀分布P电极区，有效降低因载流子分布不均匀导致的抗静电能力差，提高发光二极管发光器件的可靠性。而第一铝镓氮子层、第二铝镓氮子层、第三铝铟镓氮子层、第四铝铟镓氮子层与第五铟镓氮子层中Mg的掺杂浓度依次上升，起到的降低电阻、降低工作电压并降低电流击穿概率的可能，提高发光二极管的可靠性。
本发明授权提高可靠性的发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括依次层叠的n型GaN层、多量子阱层、p型GaN层与p型复合接触层，所述p型复合接触层包括依次层叠的第一铝镓氮子层、第二铝镓氮子层、第三铝铟镓氮子层、第四铝铟镓氮子层与第五铟镓氮子层，所述第一铝镓氮子层、所述第二铝镓氮子层、所述第三铝铟镓氮子层、所述第四铝铟镓氮子层与所述第五铟镓氮子层中Mg的掺杂浓度依次上升。
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