华灿光电(浙江)有限公司贾胜敏获国家专利权
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龙图腾网获悉华灿光电(浙江)有限公司申请的专利提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210487263.4，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法是由贾胜敏;陈张笑雄;李宁;葛永晖;陆香花;李鹏设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开公开了提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。所述提高内量子效率的发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型复合层、多量子阱层、p型GaN层与p型接触层，所述n型复合层包括依次层叠的氮化铝镓层、第一氮化镓层、第一掺硅氮化镓层、第二掺硅氮化镓层、掺硅氮化铝层，所述第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度小于所述第二掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度，所述掺硅氮化铝层中硅的掺杂浓度低于所述第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度。能够提高发光二极管的内量子效率以提高发光二极管的出光效率。
本发明授权提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高内量子效率的发光二极管外延片，其特征在于，所述提高内量子效率的发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型复合层、多量子阱层、p型GaN层与p型接触层，所述n型复合层包括依次层叠的氮化铝镓层、第一氮化镓层、第一掺硅氮化镓层、第二掺硅氮化镓层、掺硅氮化铝层，所述第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度小于所述第二掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度，所述掺硅氮化铝层中硅的掺杂浓度低于所述第一掺硅氮化镓层中硅的掺杂浓度。
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