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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241066B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210514712.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件及其制备方法是由宓珉瀚;杜翔;马晓华;周雨威;王鹏飞;龚灿;安思瑞;张濛;侯斌设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件及其制备方法，方法包括：制备外延基片，外延基片由下而上依次包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层；在缓冲层上制作源电极和漏电极；在势垒层上制作有源区的电隔离区域；在源电极、漏电极和势垒层上生长介质层；在介质层的预设组合凹槽内制作栅电极，其中，栅电极位于源电极和漏电极之间，预设组合凹槽为由沿栅宽方向在介质层内呈间隔排列的多个凹槽组合而成；在金属互联开孔区的源电极和漏电极以及未开孔刻蚀的介质层上光刻金属互联区域，以蒸发形成金属互联层。本发明的势垒层完全被介质层保护，从而避免了刻蚀损伤带来的器件电学性能的退化。

本发明授权一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 制备外延基片，所述外延基片由下而上依次包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层； 在所述缓冲层上制作源电极和漏电极； 在所述势垒层上制作有源区的电隔离区域； 在所述源电极、所述漏电极和所述势垒层上生长介质层； 在所述介质层的预设组合凹槽内制作栅电极，其中，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间，所述预设组合凹槽为由沿栅宽方向在所述介质层内呈间隔排列的多个凹槽组合而成；在所述介质层的预设组合凹槽上制作栅电极，包括： 在所述介质层上光刻预设组合凹槽区域； 对所述预设组合凹槽区域内的所述介质层进行刻蚀，以形成预设组合凹槽；其中，采用耦合等离子体刻蚀技术对所述介质层进行刻蚀，刻蚀条件包括：反应气体为CF4或O2； 在所述预设组合凹槽的所有凹槽内光刻栅电极区域，以在所述栅电极区域内制作所述栅电极； 在金属互联开孔区的所述源电极和所述漏电极以及未开孔刻蚀的所述介质层上光刻金属互联区域，以蒸发形成金属互联层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学，其通讯地址为：241002 安徽省芜湖市高新技术产业开发区服务外包产业园4号楼1205室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。