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龙图腾网获悉东科半导体(安徽)股份有限公司申请的专利合封氮化镓功率器件的半桥拓扑集成方法和芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783993B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210543201.0，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权合封氮化镓功率器件的半桥拓扑集成方法和芯片是由赵少峰;程兆辉;孙经纬设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本合封氮化镓功率器件的半桥拓扑集成方法和芯片在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种合封氮化镓功率器件的半桥拓扑集成方法和芯片，包括：驱动控制模块、第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管；所述驱动控制模块包括；逻辑控制电路和半桥驱动电路；所述半桥驱动电路包括：高压启动电路、高端驱动器和低端驱动器；所述逻辑控制电路连接所述半桥驱动电路，所述第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管串联连接，所述半桥驱动电路的驱动输出分别接第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管的驱动端，所述半桥驱动电路根据逻辑控制电路输出的控制信号驱动所述第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管交替开通和关断；所述逻辑控制电路、半桥驱动电路、第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管封装在一颗芯片中，形成所述合封氮化镓半桥拓扑集成芯片。

本发明授权合封氮化镓功率器件的半桥拓扑集成方法和芯片在权利要求书中公布了：1.一种合封氮化镓功率器件的半桥拓扑集成方法，其特征在于，所述方法包括： 将驱动控制模块、第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管封装在一颗芯片中，形成所述合封氮化镓半桥拓扑集成芯片；其中，所述驱动控制模块包括；逻辑控制电路和半桥驱动电路；所述半桥驱动电路包括：高压启动电路、高端驱动器和低端驱动器； 在所述芯片内用绝缘层隔离出第一基岛区域和第二基岛区域；将所述驱动控制模块和第二氮化镓功率管设置在第一基岛区域中，将所述第一氮化镓功率管设置在第二基岛区域中，用以高压信号和低压信号的物理空间隔离； 将所述逻辑控制电路与所述半桥驱动电路相连接，其中，所述逻辑控制电路的第一控制信号输出端接高端驱动器的驱动信号输入端，所述逻辑控制电路的第二控制信号输出端接低端驱动器的驱动信号输入端；将所述第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管串联连接；将所述半桥驱动电路的驱动输出分别接第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管的驱动端，其中，所述高端驱动器的信号输出端接所述第一氮化镓功率管的栅极，所述低端驱动器的信号输出端接所述第二氮化镓功率管的栅极；使得所述半桥驱动电路根据逻辑控制电路输出的控制信号驱动所述第一氮化镓功率管和第二氮化镓功率管交替开通和关断； 所述封装具体采用方形双边扁平无引脚PDNF封装结构，所述方法还包括：将所述芯片中连接高压信号的管脚设置在PDNF封装的一侧，将连接低压信号的管脚设置在PDNF封装的另一侧；所述芯片的管脚还包括：高压输入负端V-；将所述高压输入负端V-设置在PDNF封装的另一侧或者第三侧。

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