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龙图腾网获悉上海朕芯微电子科技有限公司申请的专利一种高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148809B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210564925.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高电子迁移率晶体管及其制备方法是由黄平;鲍利华;顾海颖设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开的高电子迁移率晶体管AlGaNGaNHEMT及制备方法，其是在衬底材料上依次生长N+型GaN层、GaN缓冲层，AlGaN势垒层和GaN帽层制备而成；其隔离槽刻蚀需达到N+型GaN层；正面的源极或者漏极和栅极上有凸块结构；表面淀积塑封层并研磨，将源极或者漏极和栅极的凸块露出来；漏极或者源极通过引线连接到隔离槽中的N+型GaN层，背面激光剥离衬底，露出N+型GaN层，将器件的漏极或者源极从晶圆的背面引出。本发明将AlGaNGaNHEMT器件的漏极和源极分置在器件的两侧，拓展了AlGaNGaNHEMT器件的应用范围并使得应用更简单、更灵活。

本发明授权一种高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1材料制备：在衬底上，先外延N+型GaN层，再依次外延GaN缓冲层、AlGaN势垒层和GaN帽层； 2在晶圆的GaN帽层表面，先确定器件的源极和漏极，源极接触孔和漏极接触孔依次穿透GaN帽层和AlGaN势垒层，直至GaN缓冲层；用溅射或蒸发工艺在晶圆表面淀积金属层；光刻剥离后形成器件的源极图形和漏极图形；退火以形成性能良好的欧姆接触； 3刻蚀制作器件隔离区域，隔离槽的深度需达到N+型GaN层； 4第一层钝化层淀积，具体是对GaN帽层、源极、漏极、隔离槽底部及侧壁进行钝化，形成第一层钝化层； 5确定栅极区域并进行栅槽刻蚀，具体是在源极与漏极之间的第一层钝化层上确定栅极区域并进行栅槽刻蚀； 6溅射或蒸发制备栅极金属，具体是在晶圆表面溅射或蒸发栅极金属，在栅槽处图形化栅极金属作为栅电极，所述栅极金属突出所述源极与漏极之间的第一层钝化层； 7第二层钝化层淀积，具体是：在第一层钝化层的表面和栅极金属表面上淀积第二层钝化层； 8互联开孔，同时也打开隔离槽里的漏极接触孔或者源极接触孔，具体是：在源极金属的顶部、漏极金属的顶部和栅极金属的顶部上开孔，同时在靠近漏极或者源极一侧的隔离槽的底部开漏极接触孔或者源极接触孔；蚀刻掉源极金属层和漏极金属层上的第一层钝化层和第二层钝化层，蚀刻掉栅极金属层上的第二层钝化层，蚀刻掉隔离槽底部的漏极接触孔或者源极接触孔的第一层钝化层和第二层钝化层； 9互联金属制备，且将器件的漏极或者源极引到隔离槽里的漏极接触孔或者源极接触孔，具体是：在晶圆表面淀积金属薄膜，蚀刻出源极、栅极以及漏极，同时将漏极或者源极连接到隔离槽底部的漏极接触孔或者源极接触孔，与N+型GaN层相连； 10在源极或者漏极金属层和栅极金属层上制作源极凸块或者漏极凸块和栅极凸块； 11晶圆正面塑封，所形成的塑封层覆盖整个晶圆的表面，包括源极凸块或者漏极凸块和栅极凸块；然后研磨晶圆正面的塑封层，将源极凸块或者漏极凸块和栅极凸块露出来； 12对晶圆的背面进行剥离，将衬底从晶圆的背面分离开来，露出N+型GaN层，从而露出器件的漏极或者源极。

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