西安电子科技大学何艳静获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种L型垂直源极的碳化硅MOSFET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210642445.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种L型垂直源极的碳化硅MOSFET器件及其制作方法是由何艳静;周圣钧;汤晓燕;袁昊;宋庆文;弓小武;张玉明设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种L型垂直源极的碳化硅MOSFET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种L型垂直源极的碳化硅MOSFET器件及其制作方法，包括：依次设置的N型衬底、N型外延层、P型阱区以及N型源极区；P型离子注入区，位于N型外延层以及P型阱区中；N型外延层、P型阱区、N型源极区以及P型离子注入区中设置有沟槽；栅氧化层，位于沟槽远离P型离子注入区的侧壁以及与该侧壁相连的一部分沟槽底部上；源极，位于沟槽靠近P型离子注入区的侧壁以及与该侧壁相连的另一部分沟槽底部上；栅极，位于沟槽内且与栅氧化层相接；隔离区，位于栅极和源极之间的沟槽内；漏极，位于N型衬底且远离N型外延层的一面。本发明的方案能够提高器件的击穿电压。
本发明授权一种L型垂直源极的碳化硅MOSFET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种L型垂直源极的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括： 依次设置的N型衬底、N型外延层、P型阱区以及N型源极区； P型离子注入区，位于所述N型外延层以及所述P型阱区中；其中，所述N型外延层、所述P型阱区、所述N型源极区以及所述P型离子注入区中设置有沟槽； 栅氧化层，位于所述沟槽远离所述P型离子注入区的侧壁以及与该侧壁相连的一部分沟槽底部上； 源极，呈L型结构，位于所述沟槽靠近所述P型离子注入区的侧壁以及与该侧壁相连的另一部分沟槽底部上；其中，在所述沟槽的底部，所述P型离子注入区完全包围所述源极； 栅极，位于所述沟槽内且与所述栅氧化层相接； 隔离区，位于所述栅极和所述源极之间的沟槽内； 漏极，位于所述N型衬底且远离所述N型外延层的一面。
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