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龙图腾网获悉上海灿瑞科技股份有限公司申请的专利同步整流控制电路、DRV调整电路及开关电源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115882701B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211671264.0，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权同步整流控制电路、DRV调整电路及开关电源是由李德第;马田华;王建国;罗杰;郎伟;李典侑设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本同步整流控制电路、DRV调整电路及开关电源在说明书摘要公布了：本发明公开了同步整流控制电路、DRV调整电路及开关电源，涉及电子电路技术领域。包括导通控制电路、关断控制电路、驱动电路和DRV调整电路。导通控制电路用于发出导通信号；关断控制电路用于发出关断信号；驱动电路用于根据导通信号导通MOSFET或者根据关断信号关断MOSFET；DRV调整电路用于降低MOSFET关断前的栅极驱动电压；DRV调整电路包括第一控制电路、第二控制电路、下拉电流源电路和N个放电电路，N不小于2；任一放电电路导通都能够进行放电，以降低DRV电压值。本发明减少了DRV从高电平降低到VREG的时间，并且防止DRV过度降低，从而既加快了MOSFET的关断速度，又提高了稳定性。

本发明授权同步整流控制电路、DRV调整电路及开关电源在权利要求书中公布了：1.一种同步整流控制电路，其特征在于，包括： 导通控制电路，用于发出导通信号； 关断控制电路，用于发出关断信号； 驱动电路，分别与所述导通控制电路、所述关断控制电路和MOSFET连接，用于根据所述导通信号导通所述MOSFET或者根据所述关断信号关断所述MOSFET； 栅极驱动电压DRV调整电路，与所述MOSFET连接，用于降低所述MOSFET关断前的栅极驱动电压；所述DRV调整电路包括第一控制电路、第二控制电路，以及，N个放电电路，N不小于2； 在DRV高于参考电压时，所述第一控制电路处于导通状态，以降低DRV的电压值；在DRV小于等于所述参考电压时或所述MOSFET的漏极电压大于等于第二阈值电压，所述第一控制电路处于断开状态； 所述N个放电电路均与所述MOSFET相连接；任一放电电路在导通时，能够进行放电，以降低DRV的电压值；任一放电电路为常通放电电路或受所述第二控制电路控制的受控电路； 所述第二控制电路用于：在DRV未降至所需目标值VREG且大于第三阈值电压时，控制所述受控电路导通，以及，在DRV小于等于所述第三阈值电压时，控制所述受控电路断开； 所述第一控制电路包括： 下拉电流源电路； 第一控制器，用于在DRV高于所述参考电压时，控制所述下拉电流源电路导通，以将DRV的电压值降至所述参考电压；以及，在DRV的电压值等于所述参考电压时，控制所述下拉电流源电路断开； 所述第二控制电路包括： 第四比较器，所述第四比较器的正向输入端用于输入所述DRV，反向输入端用于输入所述第三阈值电压； 第二开关，所述第二开关的控制端与所述第四比较器的输出端连接，所述第二开关用于断开或闭合所述受控电路； 放大器，所述放大器的正向输入端用于输入所述漏极电压，反向输入端用于输入所述第二阈值电压，输出端连接所述放电电路。

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