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龙图腾网获悉浙江桦茂科技有限公司申请的专利一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116377576B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310377259.7，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制备方法是由薄一恒;李林林;王立群设计研发完成，并于2023-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制备方法，利用微波等离子体化学气相沉积法，以甲烷、氢气、四氟化碳及二乙基铍蒸汽为生长气源，在经过预处理、金刚石形核后的衬底上生长出含氟、铍元素的双掺杂金刚石。本发明通过纳米金刚石种子溶液植晶增加金刚石形核密度，使沉积的金刚石层粗糙度降低；在金刚石生长过程中加入含氟、铍元素的气源，氟、铍掺杂原子对主体碳原子替位，不会明显改变金刚石的晶格结构，氟作为施主杂质、铍作为受主杂质的双掺杂属于浅能级掺杂，提高了金刚石的载流子浓度及迁移率；沉积结束时形成C‑H终端结构，并通过退火调节应力分布，稳定成分均匀性，提高了双掺杂金刚石的电学性能和机械性能。

本发明授权一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超宽禁带半导体双掺杂金刚石的制备方法，其特征在于：利用微波等离子体化学气相沉积法，在预处理后的衬底上进行金刚石形核，然后以甲烷、氢气、四氟化碳及二乙基铍蒸汽为生长气源，在衬底上生长出含氟、铍元素的双掺杂金刚石； 包括以下步骤： S1、衬底预处理：对衬底进行抛光、清洗、纳米金刚石种子溶液植晶及干燥处理； S2、无掺杂金刚石形核：将预处理后的衬底置于微波等离子体设备中，抽真空至压力小于10-5Pa，开启微波激发源，并通入氢气，控制微波功率为1000～1200W、沉积气压为4.0～4.5kPa、衬底温度为850～950℃，然后以氢气和甲烷的混合气体为形核气源，沉积无掺杂金刚石10～20min； S3、双掺杂金刚石生长：保持微波功率、沉积气压及衬底温度，以甲烷、氢气、四氟化碳及二乙基铍蒸汽的混合气体为生长气源，外延生长双掺杂金刚石4～8h；然后停止通入甲烷、四氟化碳及二乙基铍蒸汽，维持氢气等离子环境5～10min； S4、退火处理：将步骤S3所得产物置于真空加热炉内，抽真空至压力小于10-2Pa，开始升温，并向炉内充入甲烷、氢气及氮气的混合气体，于温度600～800℃、压力为1～3MPa保持1～2h，随炉冷却至60℃以下后取出。

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